您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43TR16128B-15HBLI-TR

IS43TR16128B-15HBLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:05:04 查看 阅读:9

IS43TR16128B-15HBLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别,广泛应用于需要快速数据存取的电子设备中。IS43TR16128B-15HBLI-TR采用16M x 16位的组织结构,总容量为256MB,适合用于网络设备、嵌入式系统、工业控制设备等领域。

参数

类型:DRAM
  子类型:SDRAM
  容量:256 MB
  组织结构:16M x 16位
  工作电压:2.3V至3.6V
  最大时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

IS43TR16128B-15HBLI-TR是一款具有高可靠性和低功耗特性的同步动态随机存取存储器芯片。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,从而降低功耗。此外,IS43TR16128B-15HBLI-TR支持多种突发访问模式,允许连续读写操作,提高内存访问效率。其同步设计使得数据传输与时钟信号严格同步,确保了高速操作的稳定性。芯片内部集成了地址和命令寄存器,简化了外部控制器的设计,提高了系统集成度。该芯片的封装形式为TSOP,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至85°C)。此外,IS43TR16128B-15HBLI-TR支持多种工作电压范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同应用场景中的兼容性。

应用

IS43TR16128B-15HBLI-TR广泛应用于需要大容量高速存储的电子系统中。其典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统(如工业控制和测量设备)、消费类电子产品(如数字电视和机顶盒)以及通信设备。该芯片的高可靠性、低功耗和宽温度范围特性使其特别适合用于工业和通信领域的高性能系统设计。

替代型号

IS48C16160B-6A、IS43S16800-6BL、IS43R81616B-6T

IS43TR16128B-15HBLI-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43TR16128B-15HBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)