时间：2025/8/1 21:27:51
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IS43R86400F-5BLI-TR 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于需要快速读写操作的应用场合，具有低功耗和高性能的特点。该SRAM芯片的容量为512K x 8位，采用标准的异步接口，适合用于缓存、数据缓冲和其他高性能存储应用。
容量：512K x 8位
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54引脚
输入/输出电压兼容性：5V 容限
封装材料：无铅（符合RoHS标准）
最大工作频率：166MHz（等效访问周期）
IS43R86400F-5BLI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片，其主要特点之一是其快速的访问时间，仅为5.4ns，这使得它非常适合用于需要高数据吞吐率的应用。此外，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其在不同电源条件下都能稳定工作。工作温度范围从-40°C到+85°C，确保了其在工业环境中的可靠性。
该器件采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积，适合高密度PCB布局。输入/输出引脚支持5V电压容限，使得它可以与多种不同电压系统的控制器兼容，而无需额外的电平转换电路。此外，该芯片符合RoHS环保标准，使用无铅封装材料，适用于环保要求较高的产品设计。
IS43R86400F-5BLI-TR 的异步接口设计简化了系统设计，无需时钟同步信号，直接通过地址线和控制线进行读写操作。这种设计方式在一些嵌入式系统或FPGA接口中尤为常见，提供了更高的灵活性和更短的开发周期。
IS43R86400F-5BLI-TR 主要应用于需要高速存储访问的系统中，例如网络设备、工业控制、通信模块、图形加速器、嵌入式处理器系统和测试设备等。在FPGA或ASIC设计中，该芯片可作为高速缓存或临时数据存储单元使用。此外，由于其低功耗和宽电压范围特性，也适用于便携式设备或需要长时间稳定运行的工业控制系统中。在需要快速响应和大量数据处理的应用场景中，如路由器、交换机或视频采集设备，该SRAM芯片能够提供稳定的存储支持。
IS43R86400B-5TLI-TR, CY62148EVLL-45BZE3, IDT71V416SA-10P, ISSI IS61LV256AL-10T
