时间：2025/9/1 9:27:30
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IS43R86400D-5BLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，采用4M x 16的组织结构，总容量为64Mbit。该芯片属于异步DRAM类别，适用于需要中等容量高速存储的应用场景。IS43R86400D-5BLI采用TSOP（薄型小外形封装）封装，适合在空间受限的电路设计中使用。
存储类型：DRAM
容量：64Mbit
组织结构：4M x 16
封装类型：TSOP
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据保持电压：2.3V至3.6V
最大工作频率：166MHz
引脚数量：54
IS43R86400D-5BLI具有低功耗的特点，适合电池供电或对功耗敏感的设备。该芯片的高速访问时间（5.4ns）使得其在高速数据处理系统中表现出色。其工作温度范围宽，为-40°C至+85°C，适用于工业级环境。此外，该DRAM芯片采用3.3V电源供电，兼容多种系统设计，简化了电源管理电路的设计。
该芯片的TSOP封装形式有助于降低封装高度，提高系统的整体可靠性。它还支持自动刷新和自刷新模式，以延长数据保持时间并进一步降低功耗。IS43R86400D-5BLI的设计考虑到了系统的稳定性和易用性，使其成为通信设备、工业控制系统、消费类电子产品等多种应用的理想选择。
IS43R86400D-5BLI广泛应用于需要中等容量高速存储的电子系统中，例如网络设备、路由器、交换机、视频采集与处理设备、工业控制设备以及消费类电子产品等。其低功耗和高速特性也使其适合嵌入式系统和便携式设备使用。
IS43R86400D-5BLL、IS43R86400C-5BLI、IS43R86400D-6BLI
