时间：2025/9/1 12:48:29
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IS43R32400E-5BLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗的DRAM芯片，属于异步静态随机存取存储器（Asynchronous SRAM）类别。该器件适用于需要高速数据访问和高可靠性的嵌入式系统和工业应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具备高稳定性和广泛的工作温度范围，适合在严苛的环境条件下使用。
容量：128K x 32位
电压：3.3V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装引脚数：54
最大工作频率：166MHz
接口类型：并行
IS43R32400E-5BLI-TR具备高速访问能力和低功耗特性，适用于高性能嵌入式系统和工业控制设备。其异步SRAM架构允许灵活的时序控制，适合与多种微处理器和控制器配合使用。此外，该芯片具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在各种工业环境中可靠运行。它还支持多种封装形式，方便在不同设计中使用，满足不同的空间和热管理需求。
这款SRAM芯片的读写操作非常灵活，支持多种模式，包括字节控制、页面模式等，提升了数据处理的效率。此外，其低待机电流设计有助于在设备闲置时降低整体功耗，延长设备的使用寿命并减少散热问题。IS43R32400E-5BLI-TR还具备较强的抗静电和过热保护能力，确保在极端条件下仍能正常工作，提高系统的整体稳定性。
该芯片广泛应用于工业自动化设备、网络设备、通信基础设施、嵌入式控制系统、医疗设备以及测试测量仪器等场景。
IS43R32400E-5BLI, IS43R32400E-5TLI, CY7C1380D-5B4I, IDT71V416SA5B4I
