时间：2025/8/1 21:31:47
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IS43R32400E-4B-TR 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步静态随机存取存储器（PSRAM）类别。该器件主要用于需要大容量存储和较高数据吞吐量的应用场合，例如网络设备、工业控制、嵌入式系统和消费类电子产品。IS43R32400E-4B-TR 提供了类似于SRAM的接口，同时内部使用DRAM结构，从而在成本和性能之间取得良好的平衡。该芯片采用CMOS工艺制造，具有自动休眠和刷新功能，以降低功耗。
类型：PSRAM（伪静态随机存取存储器）
容量：128Mb（32M x 4位）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：45ns、55ns、70ns（根据不同后缀）
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装引脚数：54引脚
数据总线宽度：x4
接口类型：异步
最大工作频率：约143MHz（时钟速率）
功耗：典型工作电流约100mA
封装尺寸：标准TSOP尺寸
IS43R32400E-4B-TR 的主要特性包括其高性能与低功耗设计，适用于需要长时间运行且对功耗敏感的应用。该芯片支持异步操作，与传统的SRAM控制器兼容，简化了系统设计和硬件接口。其x4位宽结构使得在多芯片并行应用中具有较高的灵活性。此外，该PSRAM芯片内部集成了刷新电路，自动进行DRAM存储单元的刷新，从而减轻了主控器的负担。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源管理方案，并增强了系统兼容性。芯片还具备掉电模式和待机模式，可在不需要访问存储器时进一步降低功耗。IS43R32400E-4B-TR 的高集成度和高可靠性使其成为许多嵌入式系统的理想选择。
IS43R32400E-4B-TR 广泛应用于需要大容量、高速缓存或临时数据存储的电子设备中。典型应用包括网络路由器和交换机中的数据缓冲、工业控制设备中的图像或数据存储、便携式消费电子产品（如数码相机、PDA和手持设备）中的主存储扩展、以及汽车电子系统中的实时数据处理。由于其异步接口设计，该芯片也常用于与微控制器（MCU）或FPGA（现场可编程门阵列）进行高速数据交换的场景。
IS43S32400E-4B-TR, IS43R16400B-4B-TR, CY62148E, IS64R83200C-6TLI
