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IS43R16400B-5TL 发布时间 时间:2025/12/28 18:35:46 查看 阅读:26

IS43R16400B-5TL 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片具有16位的数据总线宽度,容量为4Mbit,适用于需要快速数据访问和高性能存储的应用场合。该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速存取时间等优点,广泛用于工业控制、网络设备、通信系统、嵌入式系统等高端应用领域。

参数

容量:4Mbit
  组织方式:256K x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4ns(最大)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:2.0V 至 3.6V
  最大读取电流:180mA
  最大待机电流:10mA

特性

IS43R16400B-5TL是一款高性能异步SRAM,具备快速的访问时间(最低可达5.4ns),适合需要高速数据处理的应用。其CMOS结构确保了低功耗运行,同时提供较高的抗噪能力和稳定性。该芯片支持异步操作,无需时钟信号即可进行数据读写,提高了系统设计的灵活性。此外,IS43R16400B-5TL具有较高的可靠性和耐用性,适合在恶劣的工业环境中使用。其TSOP封装形式有助于节省电路板空间,并便于表面贴装工艺(SMT)安装。
  该芯片还具有宽电压工作范围(2.0V至3.6V),适应多种电源设计需求,并可在低电压条件下保持数据完整性。在待机模式下,功耗极低,有助于延长设备的电池寿命。其高速、低功耗、宽电压范围和工业级温度适应性,使其成为通信设备、网络路由器、工业控制、测试设备等应用的理想选择。

应用

IS43R16400B-5TL 主要用于对速度和稳定性有较高要求的嵌入式系统、工业控制系统、网络通信设备、图形处理设备、测试与测量仪器以及消费类电子产品中。由于其高速访问时间与低功耗特性,它常被用于缓存存储器、临时数据存储器以及需要快速响应的实时控制系统中。

替代型号

IS42S16400F-5TL、IS43R16400B-6T、CY62148E、AS7C34098A-10TCN、IDT71V416S

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IS43R16400B-5TL参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量108