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IS43R16320E-5BLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:44:25 查看 阅读:33

IS43R16320E-5BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件的存储容量为 16Mbit(1M x 16),采用高性能的CMOS技术制造,适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场景。IS43R16320E-5BLI 采用 55ns 的访问时间(tRC),能够在工业级温度范围内(-40°C 至 +85°C)稳定运行,因此广泛用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和网络设备等领域。该芯片采用 54 引脚 TSOP(薄型小外形封装)封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度 PCB 设计。

参数

容量:16Mbit (1M x 16)
  组织结构:X16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-TSOP
  引脚数量:54
  输入/输出电压兼容性:TTL/CMOS 兼容
  最大读取电流:250mA(典型值)
  待机电流:10mA(最大值)

特性

IS43R16320E-5BLI 作为一款高性能的异步 SRAM 芯片,具备多项优良特性。首先,其 55ns 的访问时间(tRC)使其适用于对速度要求较高的应用场景,如缓存存储和高速数据缓冲。该芯片支持异步操作,不需要时钟信号即可通过地址线和控制线进行读写操作,提高了设计的灵活性。
  该器件的工作电压范围为 2.3V 到 3.6V,具有宽泛的电压适应性,可以在不同系统中使用。此外,IS43R16320E-5BLI 支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗可降至 10mA 以下,这对于需要节能设计的应用尤为重要。
  在封装方面,该芯片采用 54-TSOP 封装,厚度较小,适合便携式设备和空间受限的 PCB 设计。其封装材料符合 RoHS 环保标准,适用于绿色电子产品制造。
  IS43R16320E-5BLI 还具备 TTL/CMOS 输入兼容性,能够与多种类型的控制器和处理器直接连接,简化了电路设计并减少了外围元件的需求。此外,其地址和数据总线分离的设计方式(地址线 A0-A19 和数据线 DQ0-DQ15)有助于提升数据访问效率。
  可靠性方面,该芯片经过严格的测试和筛选,确保在工业级温度范围内(-40°C 至 +85°C)下稳定运行,适用于严苛环境下的工业和通信设备。

应用

IS43R16320E-5BLI 广泛应用于多种高性能嵌入式系统和工业设备中。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片常用于需要快速数据存取的场合,例如工业自动化控制器、PLC(可编程逻辑控制器)、数据采集系统、测试仪器和测量设备。
  在通信领域,IS43R16320E-5BLI 可用于路由器、交换机和基站设备的临时数据缓冲和高速缓存,以提高系统响应速度和数据处理能力。此外,该芯片也适用于视频处理设备、图像采集系统和嵌入式多媒体应用,用于存储临时图像数据或帧缓冲。
  在消费类电子产品中,IS43R16320E-5BLI 可用于高性能游戏机、智能电视和数字机顶盒,提供快速的图形数据存储与访问支持。其宽电压设计和 TTL/CMOS 兼容性也使其适用于多种类型的微控制器系统,如 ARM、PowerPC 和 DSP 等架构的嵌入式平台。
  由于其具备工业级温度耐受能力,该芯片也可用于汽车电子系统,如车载导航、驾驶辅助系统和车载信息娱乐系统等,满足严苛环境下的稳定运行需求。

替代型号

IS43R16320B-5BLI, IS43R16320F-5BLI, CY62167EVP30LL

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IS43R16320E-5BLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格190 : ¥64.45616托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)