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IS43R16320E-5BL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:54:21 查看 阅读:31

IS43R16320E-5BL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗、异步SRAM(静态随机存取存储器)。该SRAM属于异步快速SRAM系列,具有高性能和低延迟的特性,适用于需要高速数据存取的系统。该器件的容量为512K x 32位,工作电压为2.3V至3.6V,采用TSOP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种嵌入式系统、通信设备和网络设备。

参数

容量:512K x 32位
  组织方式:32位宽度
  访问时间:5.4ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  引脚数量:119
  最大工作频率:166MHz
  数据保持电压:1.5V
  最大待机电流:10mA

特性

IS43R16320E-5BL-TR是一款高速SRAM,其访问时间仅为5.4ns,确保了在高速应用中的快速响应。该器件支持低功耗模式,待机电流仅为10mA,有助于延长设备的电池寿命或降低整体功耗。
  该SRAM具有宽电压范围(2.3V至3.6V),使其能够兼容多种电源管理系统,适用于不同的嵌入式环境。此外,其数据保持电压为1.5V,可在电源关闭或低功耗状态下保持数据完整性。
  封装方面,该器件采用TSOP(薄型小外形封装),具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合空间受限的应用场景。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在各种恶劣环境下的稳定运行。
  IS43R16320E-5BL-TR还支持高速同步模式,最大工作频率可达166MHz,满足高性能系统对数据处理速度的需求。此外,该器件具有高可靠性和长寿命,适用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备。

应用

IS43R16320E-5BL-TR广泛应用于网络设备、通信模块、嵌入式系统、工业控制设备、测试仪器和视频处理系统等高性能存储需求的场景。由于其高速访问时间和低功耗特性,它非常适合用作高速缓存、帧缓冲、数据缓冲和实时处理系统中的临时存储器。

替代型号

IS43R16320A-5BL-TR, IS43R16256A-5BLL-TR, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416SA5B-5SC

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IS43R16320E-5BL-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥51.87311卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)