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IS43R16160B-5TLI 发布时间 时间:2025/8/2 3:51:05 查看 阅读:14

IS43R16160B-5TLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于异步DRAM类别,具有1M地址深度和16位数据宽度,总容量为16MB。它采用CMOS工艺制造,适用于需要高速数据存储和访问的嵌入式系统和工业应用。

参数

容量:16MB
  架构:1M x 16
  电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:8mm x 14mm
  数据保持电压:2.3V 至 3.6V
  最大工作频率:166MHz
  读写模式:异步

特性

IS43R16160B-5TLI 的主要特性之一是其高速访问时间,仅为5.4ns,这使得它适用于需要快速数据读取和写入的高性能系统。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时,降低了整体功耗,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用。
  此外,该DRAM芯片支持异步操作模式,允许灵活的读写控制,适用于多种系统架构。其TSOP封装形式不仅有助于减少PCB空间占用,还具有良好的热性能和电气性能,提高了系统的稳定性和可靠性。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,可在恶劣环境下稳定运行。其数据保持电压范围为2.3V至3.6V,支持宽电压操作,增强了系统的适应性。IS43R16160B-5TLI 的最大工作频率为166MHz,能够支持高速数据传输和处理需求。

应用

IS43R16160B-5TLI 主要应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统,如工业控制设备、通信模块、网络设备、图像处理系统和消费类电子产品。在工业自动化控制系统中,该芯片可用于缓存数据和临时存储程序指令,提升系统响应速度和处理效率。
  在通信领域,该DRAM芯片可用于路由器、交换机和无线基站等设备,作为高速数据缓冲存储器,支持大量数据的实时传输和处理。在图像处理系统中,如安防摄像头或工业视觉设备,IS43R16160B-5TLI 可用于存储帧缓存数据,支持高清视频流的快速读写。
  此外,该芯片也可用于高端消费电子产品,如智能家电、游戏设备和便携式终端,提供稳定可靠的存储支持。由于其宽温度范围和低功耗特性,也适用于车载电子系统、医疗设备等对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

IS42S16160B-5TLI, CY7C1041CV33-55BNC, MT55L1608A2B4-6A

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IS43R16160B-5TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-66
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 访问时间0.7 ns
  • Supply Voltage - Max2.7 V
  • Supply Voltage - Min2.3 V
  • 最大工作电流290 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108