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IS43QR81024A-075VBL 发布时间 时间:2025/12/28 18:23:25 查看 阅读:27

IS43QR81024A-075VBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的移动异步静态随机存取存储器(Mobile Asynchronous SRAM)芯片。该器件主要用于需要高速数据存储和快速访问的应用场合,例如网络设备、通信系统、工业控制、消费类电子产品等。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高可靠性和稳定性。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:7.5ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大频率:133MHz
  输入/输出接口:异步
  数据宽度:8位
  功耗:典型值100mA(待机模式下低至10mA)

特性

IS43QR81024A-075VBL 提供了高性能和低功耗的双重优势,使其成为便携式设备和高密度系统的理想选择。其7.5ns的访问时间保证了快速的数据读写能力,适用于对实时性要求较高的应用。该芯片支持异步接口,允许其与各种微控制器和处理器无缝连接,无需复杂的时序控制。
  此外,该SRAM芯片具备宽电压范围(2.3V 至 3.6V),允许在多种电源条件下稳定运行,提高了系统的兼容性。在待机模式下,芯片的功耗可降至10mA以下,非常适合需要延长电池寿命的移动设备。
  IS43QR81024A-075VBL 采用54引脚TSOP封装,符合工业标准封装规范,便于PCB设计和自动化装配。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在恶劣工业环境下使用。此外,该芯片具备高抗噪能力和优异的稳定性,确保在高频率运行时的数据完整性。

应用

IS43QR81024A-075VBL 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统中。典型应用包括路由器、交换机、无线基站、手持设备、工业控制模块、测试设备、医疗仪器和消费类电子产品。由于其异步接口和低功耗特性,该芯片特别适合用于需要快速响应和节能设计的便携式电子设备。
  在通信设备中,IS43QR81024A-075VBL 可作为高速缓存存储器,提高数据处理效率,减少延迟。在工业控制系统中,它可以作为临时存储器,用于存储运行时的关键数据。在消费类电子产品中,该芯片可用于提升设备的整体响应速度和用户体验。
  该芯片还适用于需要快速启动和低待机功耗的应用场景,如智能卡读写器、POS终端、智能家电等。

替代型号

IS43LV16256A-075MHQ, CY62148E, IDT71V416, IS43R81024A

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IS43QR81024A-075VBL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格136 : ¥149.61404散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR4
  • 存储容量8Gb
  • 存储器组织1G x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率1.333 GHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间18 ns
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(10x14)