您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43LR32800H-6BLI-TR

IS43LR32800H-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:49:13 查看 阅读:31

IS43LR32800H-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的移动型同步动态随机存取存储器(Mobile SDRAM)芯片。该芯片主要用于移动设备、嵌入式系统和其他需要高密度存储和低功耗的应用中。IS43LR32800H-6BLI-TR 采用先进的CMOS技术制造,具备高速数据传输能力,并支持多种低功耗模式以延长电池寿命。该器件采用BGA封装形式,适合空间受限的便携式设备设计。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16
  电源电压:1.7V - 3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-ball FBGA
  时钟频率:高达166MHz
  访问时间:5.4ns
  数据速率:166MHz
  刷新周期:64ms
  接口类型:LVTTL兼容

特性

IS43LR32800H-6BLI-TR 具备多项先进的技术特性,使其在高性能和低功耗之间取得良好的平衡。首先,该芯片支持多种低功耗模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,能够有效降低在待机或低活动状态下的功耗。这使得该芯片非常适合用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑和便携式游戏机。
  其次,IS43LR32800H-6BLI-TR 提供了灵活的刷新控制和可配置的突发长度(Burst Length),以适应不同的应用需求。其自动预充电功能可以简化控制器的设计,减少外部逻辑需求,提高系统效率。
  此外,该芯片采用了先进的CMOS制造工艺,具有较高的集成度和稳定性,能够在高频率下稳定运行,支持高达166MHz的时钟频率,确保了数据的高速存取能力。其LVTTL兼容的输入/输出接口也使得与各种主控芯片的连接更加简便。
  IS43LR32800H-6BLI-TR 还具备良好的温度适应性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适用于各种严苛的环境条件。

应用

IS43LR32800H-6BLI-TR 主要用于需要高性能和低功耗的移动及嵌入式系统中。常见的应用包括智能手机、平板电脑、数字相机、便携式游戏设备、工业控制设备以及网络通信设备等。由于其高密度存储能力和低功耗特性,该芯片也非常适用于需要长时间运行而无需频繁充电的设备。

替代型号

IS43LR328160B-6BLI-TR, IS43LR32256160B-6BLI-TR, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632K-TC75

IS43LR32800H-6BLI-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43LR32800H-6BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥40.45307卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口LVCMOS
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)