IS43LR32800G-6BL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能低功耗DRAM芯片,属于移动式DRAM(Mobile DRAM)类别,适用于需要高效能与低功耗特性的设备,如智能手机、平板电脑和便携式电子产品。该芯片采用了mDDR(Mobile Double Data Rate)技术,提供高速数据传输和节能特性,使其成为移动设备的理想选择。
容量:256MB
组织结构:32M x 8
电压:1.7V - 3.3V
封装:TSOP
速度等级:-6BL(对应时钟频率166MHz)
数据速率:333Mbps
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
IS43LR32800G-6BL-TR具备多项显著特性,首先是高性能,该芯片采用mDDR SDRAM技术,支持双倍数据速率传输,最大数据速率达到333Mbps,时钟频率为166MHz,能够满足移动设备对高速数据处理的需求。其次是低功耗设计,该芯片在工作模式下消耗较低的电流,并支持多种节能模式,如自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),以延长电池续航时间。
该芯片还具有良好的稳定性和可靠性,支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),可在恶劣环境下稳定运行。此外,IS43LR32800G-6BL-TR采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适用于空间受限的便携式设备。
在功能方面,该芯片支持标准的DRAM控制信号,如时钟(CLK)、命令输入(CS, RAS, CAS, WE)等,便于与主控芯片进行接口连接。同时,其存储单元采用动态刷新机制,确保数据的长期稳定存储。
IS43LR32800G-6BL-TR广泛应用于各类需要低功耗、高可靠性和中等容量存储的电子设备中。常见应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、工业控制设备和医疗电子设备等。在移动设备中,该芯片可作为主内存或缓存使用,用于临时存储应用程序、操作系统运行时的数据和图形信息。
此外,IS43LR32800G-6BL-TR也适用于嵌入式系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、智能穿戴设备和物联网(IoT)设备,这些设备对功耗和性能都有较高要求。由于其支持低电压工作和多种节能模式,因此非常适合电池供电设备使用。
在工业和自动化领域,该芯片也可用于嵌入式控制器、数据采集设备和通信模块,提供稳定的数据存储和处理能力。其工业级温度范围保证了在高温或低温环境下依然能够稳定运行。
IS48C16160B4-6A1B4-TR, IS43R8161B4-6T-D5, IS43LR16816B-6A