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IS43LR32400G-6BL 发布时间 时间:2025/12/28 17:35:45 查看 阅读:22

IS43LR32400G-6BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于移动型低功耗动态随机存取存储器(mDRAM)类别,专为需要高速数据处理和节能特性的应用设计,广泛应用于便携式设备、网络设备、工业控制系统和嵌入式系统中。该芯片采用32M x 4的存储结构,工作频率高达166MHz,支持自动刷新和自刷新模式,适用于多种低功耗应用场景。

参数

容量:128Mb
  组织结构:32M x 4
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  封装类型:54-TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms
  封装尺寸:18.4mm x 20.0mm
  功耗:典型工作电流为 100mA(待机电流低至 10mA)

特性

IS43LR32400G-6BL具备多项先进的功能和性能优势。其低功耗特性使其适用于电池供电设备,能够在待机模式下显著减少电能消耗。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在不频繁访问时仍保持稳定。其高速工作频率(高达166MHz)能够满足高带宽应用的需求,同时其快速访问时间(5.4ns)有助于提高整体系统性能。此外,该芯片采用TSOP封装,具备良好的散热性和机械稳定性,适合在高密度PCB设计中使用。其宽电压范围(2.3V至3.6V)提供了更高的系统兼容性,并支持多种电源管理方案。

应用

IS43LR32400G-6BL广泛应用于多种需要高性能和低功耗的电子设备中。常见的应用包括便携式通信设备(如手持终端和无线模块)、工业控制设备(如PLC和人机界面)、网络设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统(如医疗设备和测试仪器)以及消费类电子产品(如数字电视和音频设备)。由于其高可靠性与宽工作温度范围,该芯片也适用于一些对环境适应性要求较高的工业现场应用。

替代型号

IS48C16160A-6BL, IS43S16400A-6BL, CY7C1370BV, CY7C1360BV

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IS43LR32400G-6BL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格240 : ¥36.21975托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织4M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)