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IS43LR32200C-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:18:54 查看 阅读:21

IS43LR32200C-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别,采用CMOS技术制造,具有高速数据访问能力,广泛应用于通信设备、网络设备、工业控制系统以及消费类电子产品中。该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适合在各种严苛环境中稳定运行。

参数

容量:256Mbit
  组织方式:32M x 8
  电压:2.3V - 3.6V
  封装:54-TSOP
  速度等级:-6B(对应访问时间6.0ns)
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:表面贴装
  引脚数:54

特性

IS43LR32200C-6BLI-TR 是一款专为低功耗和高性能设计的异步静态随机存取存储器(ASRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,能够在高速运行的同时保持较低的功耗水平,非常适合电池供电设备和对能耗敏感的应用场景。其存储容量为256Mbit,组织方式为32M x 8,支持异步访问模式,适用于需要快速响应和高数据吞吐量的系统。
  这款芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,具有较强的电压适应能力,能够在不同电源条件下稳定工作。其54-TSOP封装形式不仅节省空间,而且便于PCB布局和焊接,适用于高密度电路板设计。工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,确保其在极端温度环境下的可靠运行。
  IS43LR32200C-6BLI-TR 的访问时间为6.0ns,读写速度较快,适用于需要快速存取数据的系统。它还具备高抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中保持数据的完整性和稳定性。此外,该芯片内部集成了地址和数据缓冲器,支持多种控制信号输入,便于与各种主控芯片进行接口连接。

应用

IS43LR32200C-6BLI-TR 主要用于需要高速、低功耗存储解决方案的嵌入式系统和通信设备。典型应用包括网络路由器和交换机中的缓存存储、工业控制系统的临时数据存储、图像处理设备的帧缓存、便携式电子设备的主存扩展等。由于其宽电压和工业级温度范围,该芯片也适用于汽车电子、安防监控和智能仪表等对稳定性和可靠性要求较高的场合。

替代型号

IS43LR32200C-6BLL-TR, IS43LR32100C-6BLI-TR, CY62148EVLL-45ZE3C

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IS43LR32200C-6BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥26.41517卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织2M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)