时间：2025/8/1 23:07:16
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IS43LR32200B-6BLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗的DRAM芯片，属于移动型SDRAM类别，常用于便携式设备和嵌入式系统中。
容量：64Mbit
组织结构：32M x 2
工作电压：1.7V - 3.6V
时钟频率：166MHz
封装类型：TSOP
温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：16位
访问时间：5.4ns
IS43LR32200B-6BLI具备低功耗特性，适合电池供电设备使用。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，以减少功耗并保持数据完整性。其高速时钟频率可达166MHz，提供快速的数据存取能力。封装采用TSOP形式，体积小，适合空间受限的设计。此外，该芯片的工作温度范围较宽，适用于工业级环境。其设计保证了在多种应用中的可靠性和稳定性。
这款DRAM芯片的另一个关键特性是其宽电压范围（1.7V至3.6V），使其能够适应不同的电源供应条件。它还支持多种操作模式，包括快速页面模式和同步模式，以提高系统性能。在数据传输方面，IS43LR32200B-6BLI提供16位数据宽度，能够满足高带宽需求的应用场景。此外，该芯片内置的自动刷新机制减少了外部控制器的负担，提高了整体系统的效率。
IS43LR32200B-6BLI广泛应用于移动设备、嵌入式系统、手持设备、消费电子产品和工业控制系统。由于其低功耗和高性能的特性，特别适合用于需要高数据吞吐量和长时间电池续航的设备，例如智能手机、平板电脑、数码相机和便携式游戏机。此外，该芯片也适用于网络设备和通信模块，以满足现代电子产品对内存性能的高要求。
IS43LR32400B-6BLI, IS43LR16256B-6BLI
