时间：2025/9/1 9:50:53
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IS43LR32160B-6BLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高性能、低功耗的DRAM芯片，属于移动式DRAM（mDRAM）系列。该芯片采用32M x 16位的组织结构，总容量为512Mb，适用于需要高速数据访问和低功耗特性的便携式设备和图形处理应用。该芯片采用CMOS工艺制造，支持自动刷新和自刷新模式，适用于多种嵌入式系统和手持设备。
容量：512Mb
组织结构：32M x 16位
电源电压：1.7V - 3.3V
封装类型：TSOP
封装引脚数：54
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：6.5ns
最大工作频率：143MHz
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
低功耗设计，适用于电池供电设备。
支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，有效降低功耗。
提供高性能的随机读/写访问能力，适用于图形缓冲和高速缓存应用。
采用CMOS工艺，提高抗干扰能力和稳定性。
支持多种电源电压范围，增强了与不同系统平台的兼容性。
封装小巧，适合空间受限的便携式电子产品设计。
具备高可靠性和稳定性，适用于工业级温度范围，确保在各种环境下稳定运行。
具备异步控制功能，可灵活连接不同类型的处理器和控制器。
支持低功耗待机模式，在不使用时大幅降低能耗。
广泛应用于手持设备、工业控制、汽车电子和通信模块等领域。
IS43LR32160B-6BLI适用于多种高性能嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、数码相机等便携式设备，用作图形缓冲存储器或系统缓存。它也可用于工业控制设备、医疗仪器、车载导航系统、视频监控设备以及需要高速数据处理的通信模块。该芯片的低功耗和高稳定性使其在需要长时间运行且对能耗敏感的应用中表现出色。
IS43LR32160B-6BLI的替代型号包括IS43LR32160B-6TLI、IS42S16160B-6TLI、IS43R816160B-6BLI
