时间：2025/8/2 3:41:26
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IS43LR16800G-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的移动同步动态随机存取存储器（Mobile SDRAM）。该芯片设计用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统，提供高速数据访问和低功耗运行的优势。IS43LR16800G-6BLI 采用先进的CMOS工艺制造，支持低电压操作（通常为1.7V至3.3V），并具有8M x 16的存储密度，使其在需要大容量缓存的应用中表现出色。
容量: 128Mb
组织结构: x16
电压: 1.7V - 3.3V
访问时间: 5.4ns
封装类型: TSOP
工作温度: -40°C 至 +85°C
接口类型: 并行
IS43LR16800G-6BLI 移动SDRAM具有多项卓越特性，使其在众多存储解决方案中脱颖而出。首先，该芯片采用低功耗设计，支持多种低功耗模式，包括自动休眠模式和深度掉电模式，从而显著延长便携设备的电池寿命。其次，其高速访问时间为5.4ns，能够满足对性能要求较高的应用场景，如图形处理和高速缓存。此外，IS43LR16800G-6BLI支持自动刷新和自刷新功能，确保数据的稳定性和可靠性。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的环境条件。IS43LR16800G-6BLI采用TSOP封装形式，便于集成到紧凑的电路板设计中，并提供良好的热管理和电气性能。此外，该芯片支持标准的SDRAM接口，便于与多种处理器和控制器兼容，简化系统设计并降低开发成本。
另外，IS43LR16800G-6BLI具有出色的耐用性和稳定性，适用于长时间运行的应用场景。其CMOS工艺不仅提高了芯片的抗干扰能力，还增强了其在高负载条件下的可靠性。该芯片支持多种数据宽度配置，进一步提升了其灵活性和适用性。综合来看，IS43LR16800G-6BLI是一款非常适合便携式电子设备和高性能嵌入式系统的存储解决方案。
IS43LR16800G-6BLI 主要应用于需要高性能和低功耗的便携式电子设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业控制和通信设备。其高速访问时间和低电压操作特性使其非常适合用于图形缓冲、数据缓存和临时数据存储等应用场景。此外，该芯片还适用于需要可靠存储解决方案的汽车电子系统和嵌入式系统中。
IS43SR16800B-6BLI, IS43LR16800A-6BLI
