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IS43LD32640B-18BPLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:45:45 查看 阅读:34

IS43LD32640B-18BPLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗的32MB LPDRAM(低功耗动态随机存取存储器)芯片,主要用于需要高速数据存储和节能的便携式电子设备。该芯片采用CMOS工艺制造,具有自动刷新、自刷新、低功耗模式等多种节能功能,适用于移动电话、PDA、数码相机等设备。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:16M x 16位
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-ball TFBGA
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:18BPLI(TSOP-II)
  引脚数量:54
  数据宽度:16位
  工作模式:异步
  最大工作电流:100mA
  刷新周期:64ms

特性

IS43LD32640B-18BPLI-TR具备多种关键特性,使其在低功耗应用中表现出色。首先,该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在不增加系统负担的情况下保持数据完整性,从而降低整体功耗。其次,它采用异步操作模式,允许灵活的时序控制,适用于各种嵌入式系统的内存需求。此外,该芯片具有宽电压范围(2.3V至3.6V),使其兼容多种电源管理方案,适用于电池供电设备。其低功耗模式(如待机模式和深度掉电模式)可进一步延长设备的续航时间。芯片内部集成了地址、数据和控制信号的锁存功能,确保在高速操作下的稳定性和可靠性。最后,IS43LD32640B-18BPLI-TR的封装设计紧凑,便于在空间受限的便携式电子产品中使用。

应用

该芯片广泛应用于需要低功耗和中等容量内存的嵌入式系统中。典型的应用包括智能手机、平板电脑、数字媒体播放器、便携式游戏机、工业控制系统、医疗设备以及智能穿戴设备等。在这些设备中,IS43LD32640B-18BPLI-TR能够提供高效的数据缓存和临时存储功能,支持系统在低功耗状态下保持高性能运行。此外,该芯片也适用于需要长时间运行而无需频繁充电的物联网(IoT)设备,帮助优化系统能效。

替代型号

IS43LD32640B-18BLLI-TR, IS43LD32256B-18BLLI-TR, IS43LF32256B-18BPLI-TR

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IS43LD32640B-18BPLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格最后售卖
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态最后售卖
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织64M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳168-VFBGA
  • 供应商器件封装168-VFBGA(12x12)