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IS43LD16128B-18BL 发布时间 时间:2025/12/28 17:24:30 查看 阅读:29

IS43LD16128B-18BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高速、低功耗和高可靠性等优点,广泛用于通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统中。IS43LD16128B-18BL 的容量为256Kbit(16位×16K),组织方式为16位数据宽度,地址空间为16K行。

参数

容量:256Kbit
  组织结构:16位×16K
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:10ns、12ns、15ns 和 18ns(根据后缀不同)
  封装形式:TSOP、SOJ、PSOP 等
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 +70°C)
  封装引脚数:54引脚 TSOP
  数据保持电压:最低2V(待机模式)
  最大工作频率:166MHz(根据访问时间不同)

特性

IS43LD16128B-18BL 是一款高速SRAM芯片,具有低功耗和宽电压工作范围的特点。该芯片的访问时间有多种选项,适用于不同性能需求的应用场景。其工作电压范围为2.3V至3.6V,支持宽电压操作,增强了设计的灵活性。在待机模式下,数据保持电压可低至2V,有助于降低系统功耗。
  该SRAM芯片采用标准异步接口,支持全地址解码和片选控制,便于与微控制器、数字信号处理器(DSP)或其他主机系统连接。此外,IS43LD16128B-18BL 具有良好的抗干扰能力,能够在恶劣的工业环境中稳定工作。
  封装方面,该芯片提供54引脚TSOP等封装形式,适合高密度PCB布局,并满足现代电子产品对小型化和轻量化的需求。其工业级温度版本可在-40°C至+85°C的宽温度范围内可靠运行,适用于各种严苛环境。

应用

IS43LD16128B-18BL 广泛应用于需要高速存储器的系统中,如嵌入式系统、工业控制器、网络交换机、路由器、通信模块、数据采集设备、图像处理系统和数字信号处理设备。该芯片的高速访问时间和低功耗特性使其成为需要快速数据存取和节能设计的理想选择。

替代型号

IS43LD16256B-18BL、CY62167EVLL-18T、IDT71V128L18PFG、AS6C1008-12PCN、IS42S16100B-18BL

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IS43LD16128B-18BL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格171 : ¥83.74316托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-TFBGA
  • 供应商器件封装134-TFBGA(10x11.5)