时间：2025/9/1 9:50:17
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IS43DR86400D-25DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于快速页面模式（FPM）DRAM，具有较高的访问速度和稳定性，适用于需要高速数据访问的系统。IS43DR86400D-25DBLI 采用TSOP封装形式，便于在PCB上安装和使用。
容量：4Mbit
组织方式：x8/x16
封装类型：TSOP
引脚数：54
电源电压：3.3V
访问时间：2.5ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：8mm x 20mm
最大时钟频率：166MHz
数据保持电压：2.3V至3.6V
IS43DR86400D-25DBLI 是一款高性能DRAM芯片，具备快速的访问时间和低功耗设计，适用于各种需要高速存储的嵌入式系统和计算机外围设备。
该芯片支持x8和x16两种数据宽度模式，提供灵活的配置选项，便于满足不同应用的需求。
其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的紧凑性和稳定性，适用于空间受限的应用场景。
该芯片支持工业级工作温度范围，适用于严苛环境下的工业控制、通信设备、网络设备等应用场景。
IS43DR86400D-25DBLI 采用3.3V电源供电，具备良好的兼容性，可与多种逻辑电平系统配合使用，降低系统设计复杂度。
此外，该芯片具备良好的数据保持能力，在宽电压范围内仍能稳定保存数据，适合用于需要高可靠性的场合。
IS43DR86400D-25DBLI 主要应用于需要高速存储器支持的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备和消费类电子产品。例如，该芯片可用于图形加速卡、高速缓存存储、视频处理设备、打印机、扫描仪以及各种工业自动化控制系统中。由于其高速访问特性和低功耗设计，也适用于需要高性能存储支持的便携式设备和通信模块。
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