IS43DR86400C-3DBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步SRAM兼容的DRAM产品,具备较高的存储密度和性能,适用于需要快速存取和较高数据吞吐量的嵌入式系统和工业设备。IS43DR86400C-3DBLI 采用CMOS工艺制造,提供标准的SRAM接口,同时具备DRAM的高密度特性,适用于需要高容量存储但又受限于空间和功耗的应用。
类型:DRAM
容量:8MB(64Mbit)
组织结构:8位数据宽度(x8)
电源电压:2.3V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
访问时间:最大55ns
封装引脚数:54引脚
接口类型:异步
最大工作频率:约18MHz
数据保持电流:低功耗模式下可低于1mA
IS43DR86400C-3DBLI 是一种异步SRAM兼容的DRAM芯片,其核心优势在于高容量和低功耗的结合。该芯片内部集成了刷新电路,使得其操作类似于标准的SRAM,无需外部刷新控制器,从而简化了系统设计。其高速访问时间(最大55ns)和高达18MHz的工作频率,使其适用于对响应速度有要求的实时系统。此外,该芯片采用低功耗CMOS技术,在待机模式下可显著降低功耗,非常适合电池供电或低功耗嵌入式应用。
该芯片的另一个显著特性是其宽电压工作范围(2.3V至3.6V),这使其能够适应多种电源环境,并提高了系统设计的灵活性。同时,其宽温工作范围(-40°C至+85°C)也使其适用于工业级应用,如工业控制、通信设备和车载系统等。
IS43DR86400C-3DBLI 广泛应用于对存储容量和功耗有较高要求的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备、数据采集系统、通信模块、医疗设备、车载导航系统以及便携式电子设备。由于其SRAM兼容接口和无需外部刷新电路的特性,它也常被用于替代传统的SRAM芯片以实现更高的存储密度。
IS43DR86400C-3DBLI 可以使用以下替代型号:IS43DR86400C-3BLLI、IS43DR86400C-3DBL、IS43DR86400C-3DBLI-TR、IS43DR86400C-3DBLI-TR