时间：2025/9/1 9:04:07
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IS43DR86400C-3DBLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步SRAM兼容的DRAM产品，具备较高的存储密度和性能，适用于需要快速存取和较高数据吞吐量的嵌入式系统和工业设备。IS43DR86400C-3DBLI 采用CMOS工艺制造，提供标准的SRAM接口，同时具备DRAM的高密度特性，适用于需要高容量存储但又受限于空间和功耗的应用。
类型：DRAM
容量：8MB（64Mbit）
组织结构：8位数据宽度（x8）
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
访问时间：最大55ns
封装引脚数：54引脚
接口类型：异步
最大工作频率：约18MHz
数据保持电流：低功耗模式下可低于1mA
IS43DR86400C-3DBLI 是一种异步SRAM兼容的DRAM芯片，其核心优势在于高容量和低功耗的结合。该芯片内部集成了刷新电路，使得其操作类似于标准的SRAM，无需外部刷新控制器，从而简化了系统设计。其高速访问时间（最大55ns）和高达18MHz的工作频率，使其适用于对响应速度有要求的实时系统。此外，该芯片采用低功耗CMOS技术，在待机模式下可显著降低功耗，非常适合电池供电或低功耗嵌入式应用。
该芯片的另一个显著特性是其宽电压工作范围（2.3V至3.6V），这使其能够适应多种电源环境，并提高了系统设计的灵活性。同时，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）也使其适用于工业级应用，如工业控制、通信设备和车载系统等。
IS43DR86400C-3DBLI 广泛应用于对存储容量和功耗有较高要求的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备、数据采集系统、通信模块、医疗设备、车载导航系统以及便携式电子设备。由于其SRAM兼容接口和无需外部刷新电路的特性，它也常被用于替代传统的SRAM芯片以实现更高的存储密度。
IS43DR86400C-3DBLI 可以使用以下替代型号：IS43DR86400C-3BLLI、IS43DR86400C-3DBL、IS43DR86400C-3DBLI-TR、IS43DR86400C-3DBLI-TR
