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IS43DR86400C-3DBLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:21:43 查看 阅读:5

IS43DR86400C-3DBLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于SDRAM(同步动态RAM)类别,具备高速、低功耗、高可靠性的特点,广泛用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式应用中。该芯片采用64Mbit容量设计,支持x16位宽的数据总线,工作频率为166MHz,符合工业级温度范围和可靠性标准。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:x16位宽
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  时钟频率:最大166MHz
  数据速率:166MHz
  刷新周期:64ms
  封装引脚数:54
  接口类型:CMOS
  访问时间:5.4ns
  功耗:典型值50mA(工作模式)

特性

IS43DR86400C-3DBLI-TR具备多项优异特性,首先其高速性能使其适用于需要快速数据访问的系统,最大时钟频率可达166MHz,访问时间低至5.4ns,显著提高了系统的响应速度和处理能力。该芯片支持同步操作,所有输入输出信号均与时钟同步,从而简化了控制器设计并提高了系统稳定性。
  其次,该型号采用了低功耗设计,在保持高性能的同时,有效降低系统功耗,适用于对功耗敏感的嵌入式设备和便携式电子产品。其电源电压范围为2.3V至3.6V,具有良好的电源兼容性,适用于多种供电环境。
  在可靠性方面,IS43DR86400C-3DBLI-TR符合工业级温度标准(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下的稳定运行。其封装形式为TSOP,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于高密度PCB布局。
  此外,该芯片支持多种刷新模式(如自动刷新和自刷新),确保数据在长时间运行中不会丢失,提升了系统整体的数据稳定性。其64ms的刷新周期在满足数据保持需求的同时,减少了刷新操作对系统性能的影响。

应用

IS43DR86400C-3DBLI-TR适用于多种高性能电子系统,广泛用于工业控制设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)、工业计算机等,为这些设备提供高效、稳定的数据存储解决方案。在网络设备领域,该芯片可用于路由器、交换机等通信设备,提升数据缓存和转发能力,保障网络通信的实时性和稳定性。
  在通信系统方面,IS43DR86400C-3DBLI-TR适用于基站、无线接入设备和光纤通信模块等,为高速数据传输提供临时存储支持。此外,在嵌入式系统中,该芯片可作为图像处理、视频采集、音频缓冲等应用的临时存储器,满足实时处理需求。
  由于其宽温工作范围和高可靠性,该芯片也常用于车载电子系统、安防监控设备、智能电表等要求高稳定性的应用场景。同时,它也适用于测试仪器、医疗设备和消费类电子产品,提供灵活的存储扩展能力。

替代型号

IS43DR86400C-3DBLI-TR的替代型号包括IS43DR86400B-3DBLI-TR、IS43DR86400C-3BLI-TR、MT48LC16M6A2B4-6A、CY7C1513AV18-166BZS等。这些型号在容量、封装形式、工作频率和电压等方面与IS43DR86400C-3DBLI-TR相似,可根据具体应用需求进行选型替代。

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IS43DR86400C-3DBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥47.10317卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)