您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43DR16640C-3DBLI-TR

IS43DR16640C-3DBLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:29:04 查看 阅读:25

IS43DR16640C-3DBLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM),属于同步DRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)类型,具体为SDRAM。该型号的存储容量为256Mb(64M x 16),采用同步接口设计,适用于需要高速数据访问的系统。IS43DR16640C-3DBLI-TR封装为100-TSOP(薄型小外形封装),并支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),因此适合在工业自动化、通信设备、网络设备等对环境要求较高的应用中使用。

参数

容量:256Mb
  组织方式:64M x 16
  类型:SDRAM
  封装:100-TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:3.3ns
  最大频率:166MHz

特性

IS43DR16640C-3DBLI-TR具备多种高性能和可靠性特性,首先是其高速存取能力,最大工作频率达到166MHz,能够支持快速的数据读写操作,适用于高性能嵌入式系统和数据密集型应用。该芯片采用低功耗设计,特别适合对功耗有严格要求的便携式设备或电池供电系统。其100-TSOP封装形式具有较小的体积,适合在空间受限的电路板上使用。
  此外,该芯片支持异步和同步两种操作模式,提供了更高的灵活性,用户可以根据系统需求选择合适的工作方式。工业级温度范围(-40°C至+85°C)使得该芯片能够在恶劣环境下稳定运行,增强了系统的可靠性。IS43DR16640C-3DBLI-TR还支持多种刷新模式(如自动刷新和自刷新),确保数据在不同工作状态下的完整性。同时,其电源电压范围为2.3V至3.6V,兼容多种电源管理系统,便于在不同硬件平台上集成。

应用

IS43DR16640C-3DBLI-TR主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子系统中。典型的应用包括工业控制设备(如PLC、人机界面、工业计算机)、通信基础设施(如基站、路由器、交换机)、医疗设备(如诊断设备、监护仪器)、测试与测量仪器、安防监控系统等。由于其宽温特性和高稳定性,该芯片也非常适合用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)等。此外,在消费类电子产品中,如高清机顶盒、智能电视和游戏设备中,IS43DR16640C-3DBLI-TR也能提供稳定的存储支持。

替代型号

IS43DR16640B-3DBLI-TR, IS43DR16640C-3BLLI-TR

IS43DR16640C-3DBLI-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43DR16640C-3DBLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥38.00320卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)