时间：2025/9/1 9:41:46
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IS43DR16640A-25DBLI 是由Integrated Silicon Solution（ISSI）公司生产的一款高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类别，具有较大的存储容量和较高的数据传输速率，适用于需要高速数据访问和较大内存容量的电子设备。
存储容量：256 Mbit
组织结构：16位数据宽度 x 64千行 x 256列
工作电压：3.3V
最大访问时间：2.5ns
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54引脚
工作温度范围：-40°C至+85°C
最大时钟频率：166 MHz
数据保持时间：自动刷新
刷新周期：64ms
IS43DR16640A-25DBLI芯片具备多种显著的性能特点，使其在各种高速存储应用中表现出色。首先，其256 Mbit的存储容量能够满足许多现代电子设备对大容量存储的需求，特别是在图像处理、网络通信和嵌入式系统中。其次，该芯片采用了16位数据宽度的设计，使得每次数据传输的效率更高，从而提高了整体系统的性能。
此外，IS43DR16640A-25DBLI支持2.5ns的最快访问时间，这使其成为高速存储应用的理想选择。该芯片的工作电压为3.3V，这在一定程度上降低了功耗，同时保持了良好的稳定性。其封装形式为54引脚的TSOP，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的电路板上使用。
IS43DR16640A-25DBLI广泛应用于多种高性能电子设备中，包括但不限于工业控制设备、网络通信设备、视频处理系统以及嵌入式系统。由于其高速存取能力和较大的存储容量，该芯片特别适合用于需要快速数据处理的场合，如图像缓存、数据缓冲存储器等。在通信设备中，它可用于高速数据包存储和转发，提高系统的吞吐量。在工业自动化和汽车电子系统中，该芯片的宽温度范围和高可靠性使其成为理想的存储解决方案。
IS43DR16640B-25DBLI, IS48C16160A-25DBLI, CY7C1380D-25BZC
