IS43DR16640-3DBLI 时间：2025/12/28 17:20:17 阅读：9

IS43DR16640-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM系列，具有16位数据总线宽度和64Mbit（megabit）的存储容量。它被广泛用于需要快速数据访问和大存储容量的嵌入式系统和工业控制设备中。

参数

容量：64Mbit
　　组织结构：16M x 4
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：54-TSOP
　　工作温度：-40°C ~ 85°C
　　接口类型：并行
　　时钟类型：异步
　　数据总线宽度：16位

特性

IS43DR16640-3DBLI 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于电池供电设备和对能耗有严格要求的应用场景。其异步接口使得它能够灵活地与多种微处理器和控制器配合使用，无需严格的时序匹配。该芯片支持高速访问，访问时间仅为5.4ns，能够显著提升系统的数据处理效率。
　　此外，该芯片具有宽工作温度范围（-40°C至85°C），适合在工业环境和恶劣条件下使用。其54-TSOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，确保芯片在高负载下稳定运行。IS43DR16640-3DBLI 还具备自动刷新和自刷新功能，能够在待机状态下降低功耗并保持数据完整性。

应用

IS43DR16640-3DBLI 常用于嵌入式系统、网络设备、工业自动化控制器、通信模块以及消费类电子产品中。由于其高速存取能力和低功耗特性，该芯片特别适合用于图形处理、数据缓冲、缓存存储等需要大量临时存储的应用场景。在嵌入式视觉系统、工业相机和便携式测量设备中，它能够提供稳定的数据存储支持。此外，它也被广泛应用于路由器、交换机等网络基础设施中，以提高数据传输和处理的效率。