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IS43DR16320D-3DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:31:43 查看 阅读:12

IS43DR16320D-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)生产的一款高速、低功耗的DRAM芯片,属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别。该型号的存储容量为512Mb(兆位),组织方式为16M x 32位,适用于需要高效数据存储和快速访问的电子设备。IS43DR16320D-3DBLI 采用CMOS工艺制造,支持工业级温度范围,适用于工业控制、网络设备、通信设备等高性能应用。

参数

类型:SDRAM
  容量:512Mb
  组织结构:16M x 32位
  封装类型:TSOP
  电压范围:2.3V - 3.6V
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大访问时间:3.3ns
  最大工作频率:166MHz
  数据输入/输出方式:同步
  封装尺寸:54-TSOP

特性

IS43DR16320D-3DBLI 是一款高性能、低功耗的SDRAM芯片,具备出色的稳定性和可靠性。其同步接口设计允许与主控设备实现高速数据交换,适用于高带宽应用场景。该芯片具有宽电压范围(2.3V至3.6V),支持多种电源配置,增强了兼容性。此外,IS43DR16320D-3DBLI 采用工业级温度范围设计,能够在严苛环境下稳定运行。该芯片的TSOP封装形式有助于减少PCB布局的复杂性,并提供良好的散热性能,适用于长时间运行的嵌入式系统和工业设备。
  该芯片支持自动刷新和自刷新功能,可有效降低功耗,延长设备的使用寿命。其高速访问时间(最大3.3ns)和166MHz的工作频率使其在需要快速数据处理的应用中表现出色,例如网络路由器、交换机、视频处理设备等。此外,ISSI 提供了完善的技术支持和数据手册,便于开发人员进行硬件设计和调试。

应用

IS43DR16320D-3DBLI 广泛应用于工业自动化控制、网络通信设备、路由器、交换机、嵌入式系统、视频采集和处理设备等领域。由于其高速存取能力和稳定性,该芯片在数据密集型设备中表现尤为突出,适用于需要大容量缓存和实时数据处理的应用场景。

替代型号

IS43DR16320B-3DBLI, IS43DR16320C-3DBLI

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IS43DR16320D-3DBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格209 : ¥48.24144托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)