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IS43DR16320D-25DBLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 16:36:39 查看 阅读:9

IS43DR16320D-25DBLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于DRAM产品系列中的一种。该芯片采用CMOS工艺制造,适用于需要高数据吞吐量和快速存取速度的应用场景。IS43DR16320D-25DBLI-TR采用32M x 16的存储结构,总容量为512Mb(64MB),支持异步操作,具备工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合在工业控制、通信设备、嵌入式系统等对稳定性和可靠性要求较高的场合中使用。

参数

容量:512Mb
  组织结构:32M x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:25ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大功耗:2.5W
  接口类型:异步
  时钟频率:无
  数据速率:166MHz

特性

IS43DR16320D-25DBLI-TR具备多项优良特性,首先是其高速访问能力,访问时间仅为25ns,能够满足高速数据处理的需求。该芯片采用低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。此外,该DRAM芯片采用3.3V电源供电,兼容主流电源标准,简化了电源设计。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并增强高频下的信号完整性。该芯片支持异步操作模式,能够灵活适应不同的系统架构需求。IS43DR16320D-25DBLI-TR还具备较高的可靠性和稳定性,通过了严格的工业级测试,适用于工作环境较为严苛的工业和通信设备。同时,其封装和引脚设计与同类型DRAM芯片兼容,便于替换和升级。

应用

IS43DR16320D-25DBLI-TR广泛应用于多种嵌入式系统和工业设备中。常见的应用包括网络路由器和交换机、通信基站、工业控制设备、视频采集和处理设备、医疗成像系统、高端打印机和多功能一体机等。由于其高速访问能力和异步接口特性,该芯片适用于需要高速缓存和临时数据存储的场合,如帧缓冲、数据缓冲区、高速缓存存储等。在工业自动化领域,它可用于PLC控制器、工业计算机和数据采集系统。在消费电子领域,该芯片也常用于高性能音频/视频设备、智能电视和机顶盒等产品中。

替代型号

IS43DR16320B-25DBLI-TR, IS43DR16320C-25DBLI-TR

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IS43DR16320D-25DBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥43.76421卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)