您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43DR16160B-3DBLI

IS43DR16160B-3DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:02:23 查看 阅读:7

IS43DR16160B-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场景。IS43DR16160B-3DBLI 采用 54 引脚 TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适合在嵌入式系统、网络设备、工业控制设备等中使用。

参数

容量:256K x 16
  电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:8mm x 14mm
  最大工作电流:120mA(典型值)
  待机电流:10mA(最大值)

特性

IS43DR16160B-3DBLI 是一款高性能的异步 SRAM,具备低功耗、高速度和高可靠性等特点。该芯片的访问时间仅为 10ns,能够满足对数据存取速度有较高要求的应用场景。工作电压为 3.3V,确保了在多种系统中的兼容性。其低待机电流设计(最大值为 10mA)有助于降低系统整体功耗,延长设备续航时间。该芯片采用 54 引脚 TSOP 封装,体积小巧,适合在空间受限的设计中使用。工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。此外,该芯片内部采用先进的 CMOS 工艺制造,具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于工业控制、通信设备、汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。

应用

IS43DR16160B-3DBLI 广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统,例如工业自动化控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、测试测量仪器、智能卡终端等。其低功耗和高稳定性也使其适用于便携式电子设备和车载电子系统。在这些应用中,该 SRAM 芯片可用于存储临时运行数据、缓存程序指令或作为图像和信号处理的高速缓冲存储器。

替代型号

IS43LV16160B-3DBLI, CY62167DV30LL-55B, IDT71V1216SA8YPG, IS61LV25616-10B

IS43DR16160B-3DBLI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43DR16160B-3DBLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格209 : ¥35.37708托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)