时间：2025/9/1 10:02:23
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IS43DR16160B-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场景。IS43DR16160B-3DBLI 采用 54 引脚 TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适合在嵌入式系统、网络设备、工业控制设备等中使用。
容量：256K x 16
电压：3.3V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：8mm x 14mm
最大工作电流：120mA（典型值）
待机电流：10mA（最大值）
IS43DR16160B-3DBLI 是一款高性能的异步 SRAM，具备低功耗、高速度和高可靠性等特点。该芯片的访问时间仅为 10ns，能够满足对数据存取速度有较高要求的应用场景。工作电压为 3.3V，确保了在多种系统中的兼容性。其低待机电流设计（最大值为 10mA）有助于降低系统整体功耗，延长设备续航时间。该芯片采用 54 引脚 TSOP 封装，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。此外，该芯片内部采用先进的 CMOS 工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于工业控制、通信设备、汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。
IS43DR16160B-3DBLI 广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统，例如工业自动化控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、测试测量仪器、智能卡终端等。其低功耗和高稳定性也使其适用于便携式电子设备和车载电子系统。在这些应用中，该 SRAM 芯片可用于存储临时运行数据、缓存程序指令或作为图像和信号处理的高速缓冲存储器。
IS43LV16160B-3DBLI, CY62167DV30LL-55B, IDT71V1216SA8YPG, IS61LV25616-10B
