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IS43DR16160A-3DBL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:41:14 查看 阅读:26

IS43DR16160A-3DBL-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,具体属于异步DRAM类别。该型号的容量为256 Megabits(MB),组织形式为16M x16,这意味着它具有16位的数据宽度,适用于需要高速数据存取的应用场景。该封装形式为TSOP,符合工业标准,并适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:256 Mb
  组织形式:16M x16
  工作电压:3.3V
  访问时间:5.4ns(最大)
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据速率:166 MHz
  封装引脚数:54

特性

IS43DR16160A-3DBL-TR 是一款高性能的DRAM芯片,具有低功耗和高速访问的特性,适合在需要大容量数据存储和快速响应的系统中使用。其异步接口设计简化了系统设计并降低了控制复杂度。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有助于在保持数据完整性的同时降低功耗。此外,其TSOP封装设计有助于提高PCB布局的灵活性,并具备良好的散热性能。
  该芯片还支持多种操作模式,包括读写操作、刷新操作以及待机模式,以适应不同的系统需求。在数据吞吐方面,其16位宽的数据总线可提供高达266MB/s的数据带宽,从而提升系统的整体性能。此外,IS43DR16160A-3DBL-TR 具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于工业自动化、网络设备、消费类电子产品等对可靠性有较高要求的应用场景。

应用

IS43DR16160A-3DBL-TR 主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景,如网络交换设备、工业控制系统、测试仪器、嵌入式多媒体设备、视频采集系统等。由于其16位数据宽度和高速访问能力,它特别适合用于图像处理、数据缓存、帧缓冲等需要高带宽的应用。此外,其低功耗特性也使其适用于便携式设备和对能效有要求的系统设计。

替代型号

IS43DR16160A-3DBL、IS43DR16160A-3BL-TR、IS43DR16160A-5DBL-TR

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IS43DR16160A-3DBL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2500