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IS43DR16128C-3DBL 发布时间 时间:2025/9/1 13:57:05 查看 阅读:12

IS43DR16128C-3DBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片是一款异步静态随机存取存储器,广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统、网络设备、工业控制和通信设备中。IS43DR16128C-3DBL 采用16位数据总线和128K地址深度,提供了256K x 16位的存储容量。该器件采用3.3V电源供电,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种严苛环境下的应用。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:3.3V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:16位
  访问时间:5.4ns
  封装引脚数:54
  组织方式:X16
  读取/写入模式:异步
  封装尺寸:54-TSOP
  时钟频率:无

特性

IS43DR16128C-3DBL 具备多项优异特性,确保其在高性能系统中的稳定运行。首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗特性,适合需要长时间运行的应用场景。其次,其异步接口设计无需外部时钟同步,简化了系统设计并降低了功耗。此外,该芯片支持高速数据访问,访问时间低至5.4ns,适用于对响应速度有严格要求的系统。IS43DR16128C-3DBL 的封装形式为54引脚TSOP,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于工业级工作环境。同时,该器件内置地址和数据锁存器,支持高效的数据缓冲和处理能力。
  在电气特性方面,IS43DR16128C-3DBL 提供了多种工作模式,包括读取、写入、待机和深度掉电模式,允许系统根据实际需求灵活调整功耗。其支持的低待机电流有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,该芯片具备良好的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。由于其出色的性能和可靠性,IS43DR16128C-3DBL 被广泛应用于路由器、交换机、工业控制板、图像处理模块、视频采集系统以及高端嵌入式设备中。

应用

IS43DR16128C-3DBL 主要用于需要高速、低功耗、高可靠性的存储解决方案的各类电子设备中。其典型应用包括但不限于:网络设备中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据存储、通信设备中的协议处理缓存、嵌入式系统的主存储器、图像采集与处理系统中的帧缓存器、测试仪器中的临时数据存储单元等。此外,该芯片也常用于需要扩展外部存储器的微控制器系统、FPGA开发平台以及数字信号处理系统中,为系统提供大容量、高速的数据存储支持。

替代型号

IS43LV16128C-3BL, IS43DR16256C-3DBL, CY62148EV30LL, IDT71V128SA

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IS43DR16128C-3DBL参数

  • 现有数量6现货
  • 价格1 : ¥75.92000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)