时间：2025/9/1 13:57:05
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IS43DR16128C-3DBL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片是一款异步静态随机存取存储器，广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统、网络设备、工业控制和通信设备中。IS43DR16128C-3DBL 采用16位数据总线和128K地址深度，提供了256K x 16位的存储容量。该器件采用3.3V电源供电，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境下的应用。
容量：256K x 16位
电源电压：3.3V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
数据总线宽度：16位
访问时间：5.4ns
封装引脚数：54
组织方式：X16
读取/写入模式：异步
封装尺寸：54-TSOP
时钟频率：无
IS43DR16128C-3DBL 具备多项优异特性，确保其在高性能系统中的稳定运行。首先，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗特性，适合需要长时间运行的应用场景。其次，其异步接口设计无需外部时钟同步，简化了系统设计并降低了功耗。此外，该芯片支持高速数据访问，访问时间低至5.4ns，适用于对响应速度有严格要求的系统。IS43DR16128C-3DBL 的封装形式为54引脚TSOP，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于工业级工作环境。同时，该器件内置地址和数据锁存器，支持高效的数据缓冲和处理能力。
在电气特性方面，IS43DR16128C-3DBL 提供了多种工作模式，包括读取、写入、待机和深度掉电模式，允许系统根据实际需求灵活调整功耗。其支持的低待机电流有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，该芯片具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。由于其出色的性能和可靠性，IS43DR16128C-3DBL 被广泛应用于路由器、交换机、工业控制板、图像处理模块、视频采集系统以及高端嵌入式设备中。
IS43DR16128C-3DBL 主要用于需要高速、低功耗、高可靠性的存储解决方案的各类电子设备中。其典型应用包括但不限于：网络设备中的数据缓存、工业控制系统中的实时数据存储、通信设备中的协议处理缓存、嵌入式系统的主存储器、图像采集与处理系统中的帧缓存器、测试仪器中的临时数据存储单元等。此外，该芯片也常用于需要扩展外部存储器的微控制器系统、FPGA开发平台以及数字信号处理系统中，为系统提供大容量、高速的数据存储支持。
IS43LV16128C-3BL, IS43DR16256C-3DBL, CY62148EV30LL, IDT71V128SA
