时间：2025/9/1 9:26:19
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IS42VM32400H-75BLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的DRAM芯片。该型号属于SDRAM类别，具体属于32M x 40-bit的移动型SDRAM，适用于需要高带宽和低功耗的嵌入式系统和便携式电子设备。IS42VM32400H-75BLI采用CMOS工艺制造，提供高性能的数据存储能力，并具有良好的温度稳定性和电气性能。
容量：32M x 40位
类型：SDRAM
速度：7.5ns访问时间（对应时钟频率166MHz）
封装：TSOP
电源电压：2.3V - 3.6V
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据宽度：40位
存储结构：1M x 32 x 4 banks
接口：标准SDRAM接口
功耗：典型值100mA（工作模式）
IS42VM32400H-75BLI 是一款专为高性能嵌入式应用设计的SDRAM芯片。其主要特性之一是其较高的数据传输速率，能够在166MHz的时钟频率下工作，从而提供高达166MB/s的带宽，满足对数据处理速度有较高要求的应用场景。该芯片还具备低功耗特性，适合用于电池供电设备，例如移动电话、PDA 和其他便携式电子产品。
其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在空间受限的PCB设计中使用。此外，IS42VM32400H-75BLI支持自动刷新和自刷新模式，可以在不牺牲数据完整性的前提下最大限度地降低功耗。其工作电压范围为2.3V至3.6V，允许与多种电源管理系统兼容，提高了设计的灵活性。
该芯片的存储结构为1M x 32 x 4个bank，支持突发模式访问，有助于提高数据吞吐率。此外，IS42VM32400H-75BLI 还支持多种操作模式，包括页模式、突发模式和预充电模式，以适应不同的系统需求。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用。
IS42VM32400H-75BLI 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统和便携式设备。例如，在移动电话、数码相机、个人数字助理（PDA）、手持游戏设备、工业控制设备以及网络通信设备中都可以找到其身影。该芯片的高速度和低功耗特性使其非常适合用于图像处理、音频缓冲、网络数据缓存等需要快速访问大量数据的场景。此外，其宽电压范围和工业级温度适应性也使其适用于车载电子系统、医疗设备和测试仪器等对可靠性和稳定性要求较高的领域。
IS42VM32400H-75BLLI, IS42VM32400H-85BLI, IS42VM32400H-64BLI
