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IS42VM16400G-75BLI 发布时间 时间:2025/9/1 15:03:53 查看 阅读:6

IS42VM16400G-75BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步DRAM类型,具有16Mbit的存储容量,组织方式为1M x 16位,适合用于需要高速数据访问的嵌入式系统和网络设备。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适用于工业级温度范围,具备良好的稳定性和可靠性。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:1M x 16位
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:7.5ns
  最大时钟频率:无(异步DRAM)
  数据输出类型:三态输出
  封装尺寸:54引脚
  封装材料:塑料
  接口类型:并行接口

特性

IS42VM16400G-75BLI 是一款高性能的DRAM芯片,其主要特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为7.5ns,使其适用于对数据响应速度要求较高的应用环境。芯片支持异步操作,无需外部时钟信号控制,简化了系统设计。此外,该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压输入,适应性强,可在多种电源条件下稳定运行。其TSOP封装形式有助于降低封装高度,提高散热性能,并适用于表面贴装工艺,便于自动化生产。
  该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),可在恶劣环境中正常工作。作为一款通用型存储器,IS42VM16400G-75BLI 可用于缓存、帧缓冲区、数据存储等多种用途。

应用

IS42VM16400G-75BLI 广泛应用于需要高速存储访问的嵌入式系统中,例如网络交换设备、路由器、工业控制器、视频采集系统、图像处理模块、通信设备和打印机等。由于其高速存取能力和低功耗设计,该芯片特别适合用于图形缓存、帧缓冲器或临时数据存储器等场景。在视频处理和图像采集系统中,该芯片可用于存储高分辨率图像数据,并提供快速读写能力。此外,它也适用于需要大容量数据缓冲的通信设备和工业控制系统。

替代型号

IS42VM16400G-75BLI 的替代型号包括 IS42VM16400C-75BLI 和 IS42VM16400G-6BLLI,具体替换需根据电气特性、封装形式和工作温度要求进行匹配。

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IS42VM16400G-75BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量348