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IS42VM16320E-75BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:25:49 查看 阅读:21

IS42VM16320E-75BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于异步FIFO存储器类别。该器件具有16位数据总线宽度和32K x 16的存储容量,适用于需要高速数据缓冲和临时存储的应用场景。该芯片采用工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种工业和通信设备。

参数

容量:32K x 16位
  数据总线宽度:16位
  访问时间:7.5ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:132-TQFP
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:20mm x 20mm
  最大频率:133MHz
  输入/输出类型:CMOS
  功耗:典型值150mA(工作模式)
  待机电流:最大10mA

特性

IS42VM16320E-75BLI-TR 是一款高性能的异步FIFO型DRAM,专为需要高速数据传输和缓冲的应用而设计。其访问时间为7.5ns,能够支持高达133MHz的数据速率,确保系统在高频操作下依然保持稳定性能。
  该芯片采用低功耗CMOS技术,在工作状态下典型电流仅为150mA,待机模式下电流低至10mA以下,适合对功耗敏感的系统设计。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,允许在不同电压系统中灵活使用,增强了与其他控制器或FPGA的兼容性。
  封装方面,IS42VM16320E-75BLI-TR采用132引脚TQFP封装,尺寸为20mm x 20mm,适合高密度PCB布局。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种严苛环境下的工业控制、通信设备和嵌入式系统。
  该器件支持异步读写操作,具有独立的读写使能信号和输出使能控制,允许设计者根据系统需求灵活配置存储器访问时序。此外,该DRAM芯片内置地址自动递增功能,简化了与主控芯片的接口设计,提高了系统集成的便捷性。

应用

IS42VM16320E-75BLI-TR 主要用于需要高速数据缓存的嵌入式系统和工业控制设备中。常见应用包括网络交换设备、通信模块、工业自动化控制器、视频采集与处理系统以及FPGA/CPLD接口扩展存储器等场景。由于其低功耗和异步FIFO特性,该芯片也非常适合用于需要缓冲高速数据流的场合,如图像处理、数据采集和高速通信协议转换等领域。

替代型号

IS42VM16320B-75BLI-TR, IS42VM16512E-75BLI-TR, CY7C1041CV33-75BVI, IDT71V124SA75B

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IS42VM16320E-75BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥63.91722卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-TFBGA(8x8)