您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS42SM16800G-75BI-TR

IS42SM16800G-75BI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:51:49 查看 阅读:26

IS42SM16800G-75BI-TR 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该器件属于移动SDRAM(mSDRAM)类别,专为需要高带宽和低功耗的应用设计,例如便携式电子产品、图形处理单元、嵌入式系统和通信设备等。IS42SM16800G-75BI-TR 的容量为256Mbit,组织为16M x16位,采用高性能CMOS工艺制造,支持自动刷新和自刷新模式,以延长电池续航时间。

参数

型号: IS42SM16800G-75BI-TR
  容量: 256Mbit
  组织结构: 16M x 16
  电源电压: 1.7V - 3.3V
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  封装类型: 54-ball TSOP
  数据传输速率: 166MHz
  接口类型: 同步
  刷新模式: 自动刷新/自刷新
  功耗: 低功耗模式可用
  封装尺寸: 8mm x 10mm

特性

IS42SM16800G-75BI-TR 提供了多项高性能和低功耗特性,适合移动设备和嵌入式应用的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,可以在不频繁访问的情况下保持数据完整性,从而减少系统功耗。此外,它支持1.7V到3.3V的宽电压范围,提高了设计的灵活性,并有助于延长便携式设备的电池寿命。
  其同步接口支持高达166MHz的时钟频率,提供高速数据访问能力,适用于需要大量数据吞吐的应用场景,如图形缓存、视频处理和高速数据缓冲。该器件采用高性能CMOS工艺制造,具备良好的电气特性和稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作(-40°C至+85°C),适用于工业级应用。
  封装方面,IS42SM16800G-75BI-TR 采用54-ball TSOP封装,尺寸小巧(8mm x 10mm),便于在空间受限的设备中布局。此外,它还支持多种省电模式,包括深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),进一步降低待机功耗,适用于对功耗高度敏感的移动设备。

应用

IS42SM16800G-75BI-TR 主要应用于需要高速数据存取和低功耗特性的设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、图形处理器、通信模块、嵌入式系统以及工业自动化设备等。由于其高带宽和低功耗的特性,该芯片也常用于需要实时图像处理或视频缓存的应用,如数码相机、视频采集设备和多媒体播放器。
  在嵌入式系统中,IS42SM16800G-75BI-TR 可作为主存储器或辅助缓存使用,以提高系统运行效率。其宽电压范围和低功耗设计也使其适用于物联网(IoT)设备和远程传感器等低功耗应用场景。此外,在通信设备中,该芯片可用于缓存高速数据流,提高数据处理能力与响应速度。

替代型号

IS42SM16160B-75BI-TR, IS42SM16160F-75BI-TR, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632C-UCB0

IS42SM16800G-75BI-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS42SM16800G-75BI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-TFBGA(8x8)