IS42S83200D-7BLI 时间：2025/9/1 11:42:29 阅读：10

IS42S83200D-7BLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗CMOS动态随机存取存储器（DRAM），属于32Mbit容量的DRAM芯片，采用x8或x4配置，适用于需要大容量内存和高速数据访问的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和其他高性能应用。该器件采用标准的TSOP封装，便于在各种系统中使用，并支持常见的DRAM控制信号，使其能够与多种控制器兼容。

参数

制造商：ISSI
　　产品型号：IS42S83200D-7BLI
　　类型：DRAM
　　容量：32Mbit
　　组织方式：x8或x4
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：7ns
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　引脚数：54
　　数据总线宽度：8位或4位
　　工作频率：最大143MHz
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　封装尺寸：标准TSOP
　　

特性

IS42S83200D-7BLI 是一款专为高性能系统设计的DRAM芯片，具有以下显著特性：
　　首先，该芯片采用了高速CMOS技术，访问时间仅为7ns，最大工作频率可达143MHz，适用于需要快速数据存取的应用场景。这种高速性能使得该芯片在通信设备、嵌入式系统和高速缓存应用中表现出色。
　　其次，IS42S83200D-7BLI 支持两种数据宽度配置模式，即x4和x8模式，这种灵活性使其能够适应不同的系统设计需求。x8模式适合需要较高数据带宽的应用，而x4模式则可以在引脚数量受限的情况下提供更高效的系统集成方案。
　　该芯片的工作电压为3.3V，具有较低的功耗特性，同时支持自动刷新和自刷新模式，可以在不牺牲数据完整性的前提下显著降低功耗。这一特性对于电池供电或对功耗敏感的系统尤为重要。
　　此外，该器件采用标准的TSOP封装，具有良好的散热性能和较高的封装密度，便于在高密度PCB设计中使用。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种严苛环境中稳定运行。
　　IS42S83200D-7BLI 还支持常见的DRAM控制信号，如RAS（行地址选通）、CAS（列地址选通）、WE（写使能）等，这使其能够轻松与多种控制器和处理器接口兼容，提高了系统的兼容性和可扩展性。
　　最后，该芯片内部集成了刷新电路，可以自动执行刷新操作，减少了外部控制器的负担，提高了系统的稳定性。此外，该器件的高可靠性和长使用寿命也使其成为工业控制、网络设备和通信基础设施等关键应用的理想选择。

应用

IS42S83200D-7BLI 广泛应用于需要高速、低功耗DRAM存储器的各类电子系统中。常见的应用包括：网络设备（如路由器和交换机）、通信设备（如基站和光纤通信模块）、嵌入式系统（如工业控制和自动化设备）、图像处理设备（如视频采集卡和图像分析系统）、测试与测量仪器、消费类电子产品（如高端游戏机和智能显示设备）等。该芯片的高速访问能力、灵活的数据宽度配置以及宽温度范围，使其特别适用于对性能和可靠性要求较高的工业和通信应用。