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IS42S32400E-6BL 发布时间 时间:2025/9/1 12:09:03 查看 阅读:8

IS42S32400E-6BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的32兆位(32Mbit)动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别。该器件采用同步接口设计,提供高速数据存取性能,适用于需要高速存储器访问的应用场景。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:1M x 32
  电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  封装:54-TSOP
  温度范围:工业级(-40°C ~ +85°C)
  接口类型:CMOS同步

特性

IS42S32400E-6BL 是一款高性能的同步DRAM芯片,具备出色的存取速度和稳定性。其最大访问时间为5.4ns,使得它在高速缓存、图像处理、网络设备和嵌入式系统中表现出色。该芯片采用3.3V供电,降低了功耗并提高了系统的能效。其CMOS同步接口设计确保了与主控设备之间的高速数据传输可靠性。此外,IS42S32400E-6BL 采用54引脚TSOP封装,适用于紧凑型PCB布局,广泛用于对空间和性能都有较高要求的电子设备中。
  该芯片支持突发模式访问,可以连续读取或写入多个数据,从而提高数据吞吐量。其内部采用自刷新和低功耗模式,进一步延长了电池供电设备的使用时间。此外,IS42S32400E-6BL 的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣环境下稳定运行,增强了其适用范围。

应用

IS42S32400E-6BL 通常用于嵌入式系统、图像处理设备、工业控制设备、网络路由器和交换机、视频采集和播放设备等需要高速存储器的应用场景。它也非常适合用于需要快速数据缓存的FPGA和ASIC设计中。

替代型号

IS42S32400F-6BL, IS42S16400B-6T, CY7C1370B-5A, IDT71V414S-10P

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IS42S32400E-6BL参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TFBGA-90
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流180 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量240