容量：32M x 4位
　　组织结构：4 Banks x 8Mbit
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据速率：166MHz、143MHz、133MHz、125MHz等可选
　　访问模式：突发模式（Burst Mode）
　　刷新方式：自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）
　　数据宽度：4位
　　时钟频率：最大166MHz

IS42S32400B6TL具备高速访问能力和低功耗特性，支持同步操作和突发访问模式，提高了数据吞吐效率。其内部采用4个Bank架构，使得在刷新一个Bank的同时，可以访问另一个Bank，从而实现高效的内存管理。该芯片支持自动刷新和自刷新两种刷新机制，适用于不同的应用场景：自动刷新由外部控制器定期触发刷新操作，而自刷新模式则可以在低功耗状态下维持数据完整性，非常适合电池供电设备使用。
　　此外，IS42S32400B6TL采用了标准的LVTTL接口电平，与主流的嵌入式处理器和FPGA等外围控制器兼容，简化了系统设计。其TSOP封装形式不仅有助于节省PCB空间，也提升了散热性能，适合在高密度、高性能的电子系统中应用。
　　在制造工艺方面，该芯片采用先进的CMOS技术，具备良好的稳定性与可靠性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适合用于工业控制、网络设备、安防监控、医疗设备等对稳定性要求较高的场景。

IS42S32400B6TL主要用于需要中等容量高速缓存的嵌入式系统，例如网络路由器、交换机、视频采集与显示设备、工业自动化控制系统、便携式终端设备、多媒体播放器、FPGA开发平台等。由于其低功耗特性和宽温工作范围，也适用于户外设备和车载电子系统中。该芯片还可作为图像缓存、帧缓存或数据缓冲区，广泛用于图像处理、音频处理、实时控制等应用场景。

IS42S32400B7T、IS42S32400F6TL、IS42S32800D6TL、IS42S16400B6TL