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IS42S32200L-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 14:01:50 查看 阅读:6

IS42S32200L-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速、低功耗的32兆位(32M)同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该芯片采用CMOS技术制造,工作电压为3.3V,适用于需要大容量存储和高速数据访问的嵌入式系统和工业应用。该SDRAM的容量为32Mbit,组织结构为1M x32位,支持突发访问模式和自动刷新功能,具有良好的可靠性和稳定性。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:1M x32
  电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:54-TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行
  刷新周期:64ms
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz

特性

IS42S32200L-6BLI-TR 具有高速访问能力,其访问时间仅为5.4ns,最大时钟频率达到166MHz,能够满足对数据吞吐量要求较高的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时有效降低功耗,适用于对功耗敏感的设计。其TSOP封装结构有助于节省PCB空间,并提高在工业环境中的可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C,适合工业级应用。此外,该SDRAM支持自动刷新和自刷新模式,有助于延长数据保持时间并降低系统功耗。
  IS42S32200L-6BLI-TR 还具备突发访问能力,允许用户在一次访问中连续读取或写入多个数据单元,从而提高系统效率。其1M x32的组织结构使得它非常适合用于需要宽数据总线(32位)的应用场景,如图像处理、通信设备和工业控制设备。此外,该芯片还具备良好的兼容性,可与多种控制器和主芯片无缝连接。

应用

该芯片广泛应用于需要大容量、高速存储的嵌入式系统,如网络设备、工业控制设备、医疗仪器、通信模块以及高端消费类电子产品。例如,它可被用于路由器或交换机的数据缓存,用于提高数据处理效率;也可用于工业控制设备中的程序存储和数据缓冲;此外,它还可用于视频监控设备的图像缓存,以支持高速图像采集与处理。由于其工业级温度范围和高可靠性,IS42S32200L-6BLI-TR 特别适用于对稳定性和耐用性要求较高的应用场景。

替代型号

IS42S32800B-6BLI-TR, IS42S32800F-6BLI-TR, CY7C64225, MT48LC16M32A2B4-6A

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IS42S32200L-6BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥33.04100卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织2M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)