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IS42S32200E-7TLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:29:09 查看 阅读:7

IS42S32200E-7TLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的32兆位(32M)动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该器件属于同步DRAM(Synchronous DRAM)类别,采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要高速数据存储和处理的应用场景,如工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:1M x32
  电压:3.3V
  速度:7ns(对应频率约143MHz)
  封装:54-pin TSOP
  工作温度:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:Synchronous
  数据宽度:32位

特性

IS42S32200E-7TLI 具备多种高性能特性,首先是其同步接口设计,使得数据传输与时钟信号严格同步,从而提高了系统的稳定性和效率。该芯片的存取速度为7ns,意味着其可以支持高达143MHz的工作频率,适用于需要高速数据处理的场景。其32位的数据宽度设计使得单次数据传输量更大,进一步提升了数据吞吐能力。
  此外,该芯片采用低功耗CMOS工艺制造,在保证高性能的同时,有效降低了功耗,适用于对能耗敏感的应用环境。其工作电压为3.3V,符合大多数现代电子系统的设计标准。封装形式为54-pin TSOP,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。

应用

IS42S32200E-7TLI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中,例如工业控制设备、通信模块、网络交换设备、视频采集与处理系统、嵌入式控制系统以及测试与测量设备。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适合用于图像缓冲、数据缓冲和高速缓存等场景。

替代型号

IS42S32200F-7TLI, IS42S32400F-6BLI, CY7C1372B-133BZC, IDT71V124SA7.5Y

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IS42S32200E-7TLI产品

IS42S32200E-7TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 组织512 Kbit x 32
  • 封装 / 箱体TSOP-86
  • 存储容量64 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流140 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tube
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108