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IS42S32200E-7TL-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:20:46 查看 阅读:7

IS42S32200E-7TL-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该器件具有32M位的存储容量,组织结构为2M x 16位,适用于需要高速存储解决方案的各类电子设备。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适合工业级温度范围工作。

参数

容量:32 Mbit
  组织结构:2M x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:7ns
  封装类型:TSOP
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装引脚数:54
  工作频率:最大可达143MHz

特性

IS42S32200E-7TL-TR 采用了先进的CMOS技术,具备高速和低功耗的双重优势。其同步设计允许与系统时钟同步操作,从而提高了数据传输效率。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,确保数据在不频繁访问时仍能保持完整,降低功耗。54引脚TSOP封装设计使其适合用于空间受限的应用场合,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。
  其高速访问时间为7ns,支持高达143MHz的工作频率,使得该器件非常适合用于需要大量数据缓存和高速处理的场景,如网络设备、工业控制、图像处理和通信设备等。此外,该SDRAM支持多种操作模式,包括突发模式、自动预充电模式等,提供了灵活的控制选项以满足不同的应用需求。
  在工业级温度范围(-40°C至+85°C)下工作的能力,使得该芯片在恶劣环境中依然保持稳定运行,提升了系统的可靠性。

应用

IS42S32200E-7TL-TR 主要用于需要高速缓存和大容量存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频处理设备和网络路由器等。由于其高性能和低功耗特性,该器件也广泛应用于需要长时间运行和稳定数据存储的工业和通信领域。例如,在视频采集和处理设备中,该SDRAM可用于存储图像帧数据;在通信设备中,可作为高速缓存使用以提高数据吞吐能力;在工业控制系统中,则可用于实时数据存储和处理。
  该芯片的高频率响应能力和低功耗设计,也使其成为便携式设备和高密度存储应用的理想选择。此外,由于其支持自动刷新和自刷新模式,在需要低功耗待机的系统中也能发挥出色表现。

替代型号

IS42S32200E-7TL, IS42S32400F-7TLL-TR, IS45S32400E-7TLL-TR

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IS42S32200E-7TL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-86
  • 存储容量64 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间8 ns, 5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流140 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量1500