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IS42S32200E-6BI 发布时间 时间:2025/9/1 13:46:10 查看 阅读:31

IS42S32200E-6BI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速、低功耗的32Mbit(2M x 16)同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该芯片采用CMOS工艺制造,适用于需要高速数据存储的应用,如网络设备、工业控制系统、图形处理系统和嵌入式系统。该器件工作在工业级温度范围(-40°C至+85°C),支持标准的LVTTL接口,具有良好的稳定性和可靠性。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:2M x 16
  速度等级:-6(对应时钟频率为166MHz)
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:LVTTL
  数据总线宽度:16位
  刷新周期:64ms
  访问模式:同步突发模式

特性

IS42S32200E-6BI 是一款高性能的同步动态存储器,具备多项优良特性。其同步架构支持高达166MHz的时钟频率,确保了高速数据访问能力。芯片内部采用CMOS工艺,功耗较低,特别适用于对功耗敏感的应用环境。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,可在不丢失数据的前提下降低系统功耗。
  其TSOP封装形式具有较小的封装体积,便于在紧凑型电子设备中使用。54引脚的LVTTL接口设计兼容广泛的标准逻辑电平,方便与多种主控芯片进行连接。同时,芯片支持突发访问模式,可提高数据传输效率。
  IS42S32200E-6BI 的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业控制、通信设备等对环境适应性要求较高的场合。ISSI 提供了完整的技术支持和数据手册,用户可轻松获取详细的操作说明和时序参数。

应用

IS42S32200E-6BI 主要应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统和工业设备。例如,它可以用于网络路由器、交换机、工业控制器、图形处理模块、视频采集设备、通信模块等。由于其高速访问能力和低功耗设计,也适用于便携式电子设备和智能终端设备中的缓存或主存模块。

替代型号

IS42S32200F-6BLI, IS45S32200E-6BI, IS42S32400F-6TLI

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IS42S32200E-6BI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TFBGA-90
  • 存储容量64 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间8 ns, 5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流160 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tube
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量240