时间：2025/9/1 10:41:38
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IS42S16400J-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片采用16M x 16位的组织结构，提供256Mb的存储容量，适用于需要大容量高速存储的应用场景。IS42S16400J-6BLI采用工业标准封装和接口设计，支持自动刷新和自刷新模式，具备良好的稳定性和兼容性。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-TSOP
接口类型：并行
刷新模式：自动刷新、自刷新
时钟频率：166MHz
IS42S16400J-6BLI 是一款高性能的DRAM芯片，具备低功耗和高速访问能力。其最大访问时间为5.4ns，支持166MHz的时钟频率，能够满足高速数据处理的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够有效降低功耗，延长数据保存时间。其电源电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源供应环境，提高了系统的灵活性。
此外，IS42S16400J-6BLI 采用工业级温度范围设计，可在-40°C至+85°C的环境下稳定工作，适用于工业控制、通信设备、网络设备等对环境适应性要求较高的应用。该芯片采用54引脚TSOP封装，符合标准DRAM接口规范，易于集成到现有系统中，降低了设计复杂度。
IS42S16400J-6BLI 广泛应用于需要高速存取和大容量存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的数据缓存、工业控制设备的临时存储、通信设备中的数据缓冲、网络设备的包存储、视频采集与处理系统中的帧缓存等。此外，该芯片也可用于高性能数据采集设备、工业计算机、图像处理设备以及各种需要快速存取存储的嵌入式系统中。
IS42S16400F-6TLLI, IS42S16400J-6TLI, IS42S16400J-6BLLI
