时间：2025/9/1 10:24:11
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IS42S16400F-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该芯片的容量为256Mb，组织为16M x16位，适用于需要高性能存储器的应用场景。IS42S16400F-6BLI 采用CMOS工艺制造，支持自动刷新和自刷新模式，提供低功耗运行，并具有高速数据访问能力。该器件广泛用于网络设备、通信系统、工业控制和消费电子产品等领域。
容量：256Mb
组织结构：16M x16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：54引脚 TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
数据输入/输出：LVTTL 兼容
封装尺寸：8mm x 14mm
自动刷新周期：64ms
自刷新模式支持：是
突发长度：1, 2, 4, 8, 整页
突发类型：顺序或交错
CAS 等待时间（tRC）：10ns
写入延迟（tRC）：10ns
IS42S16400F-6BLI 是一款高性能的 SDRAM 芯片，具备多项显著特性，适用于各种高性能存储应用。首先，其256Mb的存储容量和16M x16的组织结构使其能够高效地存储和传输数据，适合需要大容量存储的系统设计。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，增强了其在不同电源环境下的适用性，并确保了良好的电源适应能力。
此外，IS42S16400F-6BLI 采用了CMOS技术，显著降低了功耗，使其在自动刷新和自刷新模式下都能保持低功耗运行，特别适合对能耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。其高速访问时间（最大5.4ns）和高达166MHz的时钟频率使得该芯片能够满足高速数据处理的需求，适用于实时系统和高性能计算设备。
在封装方面，IS42S16400F-6BLI 采用54引脚TSOP封装，尺寸为8mm x 14mm，适合高密度PCB布局。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度要求，可在严苛环境中稳定运行。此外，它支持多种突发长度（1、2、4、8、整页）和突发类型（顺序或交错），提高了数据访问的灵活性和效率。
IS42S16400F-6BLI 还具备良好的兼容性，支持LVTTL电平接口，便于与多种主控芯片连接。其内置的自动刷新和自刷新功能可确保数据的长期保存，同时减少外部控制器的负担。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、消费电子产品等领域，是一款可靠、高效的存储解决方案。
IS42S16400F-6BLI 适用于多种高性能存储应用场景。在通信设备中，该芯片可作为高速缓存或临时存储单元，用于路由器、交换机和基站等设备中的数据缓冲和转发。在工业控制系统中，它可以用于实时数据采集与处理，确保系统在高负载下仍能稳定运行。在嵌入式系统和消费类电子产品中，如智能电视、机顶盒、视频监控设备和工业计算机，IS42S16400F-6BLI 能够提供高速的数据读写能力，提升整体系统性能。此外，它还可用于图形处理、网络存储和多媒体应用，满足对大容量、高速存储的需求。
IS42S16400F-6BLL, IS42S16400F-7T, IS42S16400G-6BLI
