时间：2025/9/1 15:12:24
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IS42S16100H-6BLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）。该器件属于高速、低功耗的DRAM系列，适用于需要大容量存储和高速数据存取的应用场景。该芯片的容量为16M x 16位，总共有256Mb的存储容量，支持自动刷新和自刷新模式，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），封装为TSOP（薄型小外形封装），适合高密度嵌入式系统和工业控制设备使用。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
最大频率：166MHz
刷新方式：自动刷新/自刷新
IS42S16100H-6BLI-TR是一款高性能的DRAM芯片，其核心特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为5.4ns，支持高达166MHz的操作频率，能够满足高速数据处理的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源兼容性，适用于多种系统设计。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的稳定性和可靠性。
此外，IS42S16100H-6BLI-TR支持自动刷新和自刷新两种刷新模式，能够在不同应用场景下优化功耗表现。自动刷新模式由内部计数器控制，适用于需要连续运行的系统；而自刷新模式则在低功耗状态下保持数据不丢失，非常适合便携式设备或间歇性工作的系统。该芯片的封装形式为TSOP-II，具有54个引脚，适合高密度PCB布局，并具备良好的散热性能。
IS42S16100H-6BLI-TR因其高速和低功耗的特性，被广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业控制设备。常见的应用包括工业计算机、网络路由器和交换机、通信基站模块、视频采集与处理设备、工业自动化控制系统、嵌入式多媒体设备等。此外，该芯片也适用于需要临时大容量数据存储的场合，如图像缓存、数据缓冲器、实时数据采集系统等。由于其宽温特性和TSOP封装的高可靠性，特别适合在户外设备或工业现场环境中使用。
IS42S16100G-6BLI-TR, IS42S16800H-6BLI-TR, IS42S16160B-6BLI-TR
