IS42S16100H-6BL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于异步DRAM类别。该芯片的容量为1M x 16位,总共有16M位的存储空间。IS42S16100H-6BL采用54引脚TSOP封装,适合用于需要中等容量高速存储的应用场景,如网络设备、工业控制、通信设备和嵌入式系统等。该芯片的工作电压为3.3V,具备低功耗、高性能的特点,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛的工作环境。
容量:1M x 16位
电压:3.3V
封装类型:54引脚TSOP
工作温度:-40°C至+85°C
访问时间:5.4ns
最大时钟频率:166MHz
数据保持时间:10ms
封装尺寸:18mm x 20mm
引脚数量:54
IS42S16100H-6BL具备多项高性能和高可靠性的特性。首先,其访问时间仅为5.4ns,支持高达166MHz的频率,使得该DRAM芯片适用于需要快速数据存取的应用。其次,该芯片采用了低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低功耗,适合对能耗敏感的系统。此外,该芯片符合工业级温度标准,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适用于户外设备、工业自动化和通信基础设施等严苛环境。
IS42S16100H-6BL采用54引脚TSOP封装,具有良好的封装兼容性和焊接可靠性,适合大规模生产和自动化装配。该芯片的数据保持时间为10ms,符合标准DRAM的刷新要求,确保数据在断电前不会丢失。此外,ISSI作为DRAM领域的领先厂商,其产品以稳定性和兼容性著称,IS42S16100H-6BL在多个行业应用中均有良好的口碑。
IS42S16100H-6BL广泛应用于需要高性能、低功耗和宽温适应性的电子系统中。常见的应用领域包括网络路由器和交换机、工业控制设备、嵌入式系统、视频采集和处理设备、通信模块以及测试测量仪器等。由于其高速存取能力和工业级工作温度范围,该芯片特别适合用于需要稳定运行且对存储性能有一定要求的场合。例如,在网络设备中,IS42S16100H-6BL可用于缓存高速传输的数据流;在工业控制系统中,它可作为主控单元的临时存储器,用于暂存程序或运行时数据;在嵌入式设备中,该芯片可作为外部存储扩展,提升系统处理能力。
IS42S16100F-6T, IS42S16100G-6BL, CY7C1009DV33-10ZSXC, MT48LC16M16A2B4-6A