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IS42S16100E-6TLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:45:08 查看 阅读:33

IS42S16100E-6TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的16Mbit的CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。该DRAM芯片采用同步设计,适用于需要高速数据访问的应用场合,具有较高的性能和稳定性。IS42S16100E-6TLI-TR采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适合于工业级温度范围,广泛应用于通信设备、网络设备、工控系统等。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:1M x 16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  最大时钟频率:166MHz
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:-40°C至+85°C
  工作模式:同步DRAM
  数据宽度:16位
  刷新方式:自动刷新/自刷新

特性

IS42S16100E-6TLI-TR是一款高性能的同步DRAM芯片,具备低功耗和高速访问能力。其同步架构使得数据访问与系统时钟保持一致,提升了整体系统的稳定性和效率。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够有效降低功耗,延长数据保持时间,特别适合对功耗敏感的应用场景。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)设计允许其在多种电源条件下稳定工作,增强了兼容性和适用性。
  这款DRAM芯片的高速访问时间为5.4ns,最大时钟频率可达166MHz,满足高速数据处理的需求。其16位的数据宽度也使得在并行数据传输中表现出色,适合用于需要高带宽的数据存储和缓存应用。
  TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了散热性能,有助于在高密度PCB布局中使用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境下的工业级应用。

应用

IS42S16100E-6TLI-TR广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业控制设备中,包括但不限于网络路由器、交换机、通信模块、视频采集与处理设备、工业自动化控制系统以及嵌入式多媒体设备。由于其高速、低功耗和宽温特性,也非常适合用于车载电子系统、安防监控设备以及智能仪表等场景。

替代型号

IS42S16100F-6TLL-TR, IS42S16400F-6TL-TR, MT48LC16M16A2B4-6A

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IS42S16100E-6TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-50
  • 存储容量16 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6 ns, 5.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流170 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量1000