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IS42S16100C1-7BI 发布时间 时间:2025/12/28 17:39:43 查看 阅读:25

IS42S16100C1-7BI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于16位数据宽度的1M x 16的DRAM芯片。该器件采用同步设计,支持高速数据访问,适用于需要高性能存储的应用场景。该芯片采用54引脚TSOP封装,工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合工业和通信设备使用。

参数

容量:1M x 16位
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  数据宽度:16位
  时钟频率:166MHz
  访问时间:7ns
  工作模式:同步模式
  引脚数:54
  工艺技术:CMOS

特性

IS42S16100C1-7BI具备高性能的同步DRAM架构,采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,适用于需要长时间运行的系统。
  其16位宽的数据总线能够提供较高的数据传输率,适用于图像处理、网络设备和嵌入式系统等对存储带宽有较高要求的场合。
  该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在不连续访问时仍能保持完整,同时降低了系统维护的复杂度。
  此外,IS42S16100C1-7BI采用54引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和空间适应性,适合高密度PCB布局。
  工业级温度范围设计使其能够在恶劣环境下稳定运行,提高了系统的可靠性和稳定性。
  该器件兼容JEDEC标准,方便设计人员在不同厂商之间进行替换和选型。

应用

该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、网络路由器、视频采集系统、嵌入式处理器系统等领域。
  例如,在通信设备中,IS42S16100C1-7BI可用于缓存高速传输的数据包;在视频采集系统中,可用于临时存储图像帧数据;在嵌入式处理器系统中,可作为主存或高速缓冲存储器使用。
  由于其高速度和低功耗的特性,也适用于需要实时数据处理的设备,如医疗设备、测试仪器和自动化控制系统等。
  此外,该芯片也适用于需要高可靠性和稳定性的车载电子系统和安防设备中。

替代型号

IS42S16100C2-7TLI, IS42S16100G1-7B, CY7C1370B, CY7C1380B

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IS42S16100C1-7BI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织512 Kbit x 16
  • 封装 / 箱体FBGA-60
  • 存储容量16 MB
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间7 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流150 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量286