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IS42RM32160E-75BL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:21:26 查看 阅读:20

IS42RM32160E-75BL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能DRAM芯片,属于异步静态随机存取存储器的一种。该器件具备较大的存储容量和较高的访问速度,适用于需要快速数据存取的应用场景。IS42RM32160E-75BL-TR采用32M x 16的组织结构,容量为512Mb,适合在通信、工业控制、嵌入式系统等要求较高的系统中使用。

参数

类型:DRAM
  容量:512Mb (32M x 16)
  封装类型:TSOP
  工作电压:3.3V
  时钟频率:166MHz(访问时间7.5ns)
  数据宽度:16位
  接口类型:并行
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:54引脚TSOP

特性

IS42RM32160E-75BL-TR是一款高速异步DRAM存储器,其核心优势在于高速访问能力和稳定性。该芯片的访问时间仅为7.5ns,可支持高达166MHz的时钟频率,使其适用于需要快速数据存取的场合。该芯片支持异步操作,这意味着其读写操作不受系统时钟控制,而是通过地址和控制信号的变化来触发,从而提高了灵活性。此外,该芯片采用了低功耗设计,在保持高性能的同时,降低了功耗和热量产生,适用于对能耗敏感的应用场景。该芯片还具有较强的抗干扰能力和稳定性,能够在工业环境下可靠运行。

应用

IS42RM32160E-75BL-TR广泛应用于需要大容量高速存储的设备中,例如网络交换机和路由器、视频采集与处理设备、嵌入式系统、工业控制设备以及通信基站等。由于其高速度和低延迟特性,特别适合用于缓存、帧缓冲器、数据缓冲存储等场景。

替代型号

IS42RM32160A-75BL-TR, IS42RM32160G-75BL-TR, CY7C1361E-133AXI, IDT71V416SA7.5Y

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IS42RM32160E-75BL-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥76.67681卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织16M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)