IS42RM16160K-75BLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高性能、低功耗的16MB(16M x 16位)高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,采用的是同步动态随机存取内存(SDRAM)架构。该芯片广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统中,提供可靠的数据存储和高速访问能力。
容量:16M x 16 bit
组织结构:16MB
电压:2.3V - 3.6V
时钟频率:166MHz
存取时间:75ps
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
IS42RM16160K-75BLI 的核心特性包括其高性能同步架构,支持高速数据访问和突发传输模式,从而显著提高了数据吞吐能力。其采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,适用于对功耗敏感的嵌入式应用。此外,该芯片具有宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了设计灵活性,并能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作,适合在恶劣环境中使用。
该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的电气性能和散热能力,适用于高密度PCB设计。其同步控制接口与标准SDRAM控制器兼容,简化了系统集成过程。IS42RM16160K-75BLI 还支持自动刷新、自刷新和深度掉电模式等多种节能模式,进一步增强了其在低功耗应用中的适应性。
IS42RM16160K-75BLI 主要应用于对性能和稳定性有较高要求的嵌入式系统,如工业控制、网络设备、路由器、交换机、安防监控设备以及各种数据通信产品。由于其宽温范围和高可靠性,也常用于车载电子系统、智能电表、医疗仪器等需要长时间稳定运行的设备中。此外,该芯片还适用于图像处理、视频采集与显示系统等需要大容量缓存的应用场景。
IS42S16160B-75BLI、IS42S16160G-75BLI