时间：2025/9/1 9:11:39
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IS42RM16160K-75BLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高性能、低功耗的16MB（16M x 16位）高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，采用的是同步动态随机存取内存（SDRAM）架构。该芯片广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统中，提供可靠的数据存储和高速访问能力。
容量：16M x 16 bit
组织结构：16MB
电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：166MHz
存取时间：75ps
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
IS42RM16160K-75BLI 的核心特性包括其高性能同步架构，支持高速数据访问和突发传输模式，从而显著提高了数据吞吐能力。其采用CMOS工艺制造，具备低功耗特性，适用于对功耗敏感的嵌入式应用。此外，该芯片具有宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了设计灵活性，并能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适合在恶劣环境中使用。
该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB设计。其同步控制接口与标准SDRAM控制器兼容，简化了系统集成过程。IS42RM16160K-75BLI 还支持自动刷新、自刷新和深度掉电模式等多种节能模式，进一步增强了其在低功耗应用中的适应性。
IS42RM16160K-75BLI 主要应用于对性能和稳定性有较高要求的嵌入式系统，如工业控制、网络设备、路由器、交换机、安防监控设备以及各种数据通信产品。由于其宽温范围和高可靠性，也常用于车载电子系统、智能电表、医疗仪器等需要长时间稳定运行的设备中。此外，该芯片还适用于图像处理、视频采集与显示系统等需要大容量缓存的应用场景。
IS42S16160B-75BLI、IS42S16160G-75BLI
