时间：2025/9/1 15:41:56
阅读：8
IS42RM16160K-75BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的16Mbit（1M x16）静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能CMOS工艺制造。该SRAM器件适用于需要高速数据访问和低功耗特性的应用场合，例如通信设备、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统等。该器件采用BGA封装，便于在高密度PCB设计中使用。
容量：16Mbit
组织结构：1M x 16
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：7.5ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚 BGA
最大工作频率：100MHz
输入/输出接口：并行接口
数据保持电压：2.0V
待机电流：最大10mA
输出使能时间：2.5ns
写入脉冲宽度：5.4ns
IS42RM16160K-75BLI-TR 是一款高性能SRAM，具有快速访问时间和低功耗的特点。该芯片的访问时间仅为7.5ns，使其适用于高速数据存储和缓存应用。其宽电压范围（2.3V至3.6V）支持广泛的电源设计兼容性，同时支持低至2.0V的数据保持电压，有助于在低功耗模式下维持数据完整性。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级温度环境。其54引脚BGA封装形式提供了紧凑的尺寸，适用于高密度PCB布局。此外，该SRAM具备高速写入能力，写入脉冲宽度低至5.4ns，确保了快速的数据更新速度。IS42RM16160K-75BLI-TR 还具备低待机电流特性，最大仅为10mA，有助于降低整体功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。其输出使能时间短至2.5ns，提高了系统响应速度。该SRAM采用CMOS工艺制造，确保了稳定性和可靠性，并具备较强的抗干扰能力。此外，该器件支持异步操作，适用于多种微处理器和控制器接口设计。
IS42RM16160K-75BLI-TR 适用于多种需要高速、低功耗存储的场景，如工业控制设备、通信基础设施、网络路由器和交换机、测试测量仪器、嵌入式系统、医疗设备以及消费类电子产品。在通信系统中，它可以作为缓存或临时数据存储单元，提高数据传输效率。在工业控制系统中，该SRAM可用于高速数据采集和处理。此外，在嵌入式系统中，该器件可以作为主控制器的外部存储器，提升系统性能。
IS42S16100F-75BLI-TR, IS42RM16160A-75BLL-TR, CY62148E
